ХАРАКТЕРИОГРАФЫ «ЭРБИЙ» для измерения параметров и получения характеристик приборов, созданных на основе нанотехнологий: ООО «ЭРБИЙ» Тел. (8452) 58-41-64.

Презентация:



Advertisements
Похожие презентации
1 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел Элементы оптоэлектроники Весна 2010 Лекция 16 Элементы оптоэлектроники (часть 1) 1. Фоторезисторы 2. Фотодиоды.
Advertisements

МГУ им. Н. П. Огарева 1 КОМПЛЕКС ИСПЫТАТЕЛЬНОЙ АППАРАТУРЫ серии «АДИП» ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КАЧЕСТВА СИЛОВЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ докладчик: руководитель.
Электрический ток в полупроводниках. Зависимость сопротивления полупроводника от температуры ρ Т, К 293 Кремний Германий Селен PbS CdS и т. д.
Полупроводниковый диод ЮРГТУ (НПИ) Кафедра Автоматики и телемеханики.
Фотоприемники Ермилова Регина Фёдорова Юлия 1. Фотоприемники Полупроводниковые приборы, регистрирующие оптическое излучение, преобразующие оптический.
Обозначения на чертежах и схемах элементов общего применения относятся к квалификационным, устанавливающим род тока и напряжения, вид соединения, способы.
Характеристики идеального диода на основе p-n перехода. Полупроводниковый диод Нелинейный электронный прибор с двумя выводами. В зависимости от внутренней.
Фотоприемники и солнечные батареи. Выполнили: Гвоздев В. А. Хасаев М. Л.
Дома:§120 1.Термистор.2.Фоторезистор. 3.Транзистор. Солнечная батарея. 4. Почему при изготовлении полупроводниковых материалов исключительное внимание.
2.3. Конденсационные гигрометры. По определению температуры точки росы: Зная температуру точки росы t d, можно рассчитать E d и определить относительную.
ЗАО « Протон - Импульс », г. Орел 16 лет на рынке поставщиков электронных компонентов: твердотельных полупроводниковых реле средней и большой мощности,
Фотодиод Выполнила: студентка группы Степанова К.В.
Работу выполнили : Карпова Екатерина Советный Михаил.
Устройство диодов Ганна Площадь торцов кристалла S = 100 x 100 мкм^2, длина d = 5 – 100мкм. На торцы кристалла нанесены металлические контакты.
Источники питания и напряжения и контрольно-измерительные приборы Практикум по основам измерительных технологий.
Аппаратно-программный комплекс для испытания и диагностики силовых полупроводниковых приборов Авторы: Н. Н. Беспалов, М. В. Ильин, С. С. Капитонов Мордовский.
Презентация по твердотельной электронике. Тема презентации: Классификация и обозначения полупроводниковых приборов. Выполнили студенты физико- технического.
Автор: Старков Д.А., группа 21302, ФТФ. ОБОЗНАЧЕНИЯ УСЛОВНЫЕ ГРАФИЧЕСКИЕ В СХЕМАХ. Приборы полупроводниковые.
Радиоматериалы и радиокомпоненты [Радиоматериалы и радиокомпоненты] [ «Бытовая радиоэлектронная аппаратура» «Средства радиоэлектронной.
ОАО «ИНТЕГРАЛ» филиал «ТРАНЗИСТОР» Новые разработки изделий спецназначения.
Транксрипт:

ХАРАКТЕРИОГРАФЫ «ЭРБИЙ» для измерения параметров и получения характеристик приборов, созданных на основе нанотехнологий: ООО «ЭРБИЙ» Тел. (8452) , Саратов, а/я 3300 «ЭРБИЙ»-7107 – для наноразмерных пленок и других двухполюсников (2006 год) «ЭРБИЙ»-7109 – для лазерных диодов и лазерных модулей (2008 год)

Характериограф «Эрбий»-7107

ИСПЫТАНИЕ: наноразмерных пленок полупроводниковых двухполюсников: - резисторов - фоторезисторов - фотодиодов - термисторов - варисторов - и т. п. Характериограф «Эрбий»-7107

Задаются: Напряжение двухполюсника Напряжение двухполюсника Температура двухполюсника Температура двухполюсника Освещенность двухполюсника Освещенность двухполюсникаИзмеряются: Ток двухполюсника Ток двухполюсника Фототок короткого замыкания Фототок короткого замыкания Фото-э.д.с. Фото-э.д.с. Характериограф «Эрбий»-7107

Автоматическое получение различных характеристик: Измерения «в одной точке»Вольт-амперная характеристикаЗависимость фото-э.д.с. от освещённости И так далее…

Ток образца – от 10 нА до 200 мА Ток образца – от 10 нА до 200 мА Напряжение образца – от 100 μВ до 5 В Напряжение образца – от 100 μВ до 5 В Температура термостата – от –20 до +125 °С Температура термостата – от –20 до +125 °С Стабильность температуры – 0,01 °С Стабильность температуры – 0,01 °С Диапазон изменения освещенности – 1 : Диапазон изменения освещенности – 1 : Точность от 0,1% до 3% от измеряемого значения Точность от 0,1% до 3% от измеряемого значения Характериограф «Эрбий»-7107

Характериограф «Эрбий»-7109

ИСПЫТАНИЕ: полупроводниковых лазерных диодов полупроводниковых лазерных модулей, включающих: - лазерный диод - микрохолодильник Пельтье - термодатчик - фотодиод обратной связи Характериограф «Эрбий»-7109 ПРИБОР – победитель конкурса Лазерной ассоциации 2008 года (диплом I степени)

Задаются: Ток накачки лазера либо Ток накачки лазера либо мощность излучения лазера Температуры корпуса и p-n-перехода лазера Температуры корпуса и p-n-перехода лазераИзмеряются: Напряжение на лазерном диоде Напряжение на лазерном диоде Мощность излучения либо ток накачки Мощность излучения либо ток накачки Ток микрохолодильника и другие параметры Ток микрохолодильника и другие параметры Характериограф «Эрбий»-7109

Автоматическое получение различных характеристик: Измерения «в одной точке» Вольт- и ватт-амперная характеристикиЗависимость тока накачки от T° p-n-перехода И так далее…

Характериограф «Эрбий»-7109 Специальная программа для наблюдения за термотренировкой серий лазерных диодов:

Ток накачки лазера – от 20 до 500 мА Ток накачки лазера – от 20 до 500 мА Напряжение на лазере – до 3 В Напряжение на лазере – до 3 В Температура термостата – от –5 до +85 °С Температура термостата – от –5 до +85 °С Стабильность температуры – 0,01 °С Стабильность температуры – 0,01 °С Автоматическая градуировка термодатчика модуля Автоматическая градуировка термодатчика модуля Точность 0,1% от измеряемого значения Точность 0,1% от измеряемого значения Характериограф «Эрбий»-7109

Характериографы «Эрбий»

ХАРАКТЕРИОГРАФЫ «ЭРБИЙ» ООО «ЭРБИЙ Тел. (8452) , Саратов, а/я 3300 Приборы уникальные для России Отечественных аналогов не производится Стоимость приборов в 3 и более раз ниже, чем у импортных аналогов