Оптоэлектронный генератор – первое практическое устройство СВЧ- оптоэлектроники ИСВЧПЭ РАН Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт. - презентация

1 Оптоэлектронный генератор – первое практическое устройство СВЧ- оптоэлектроники ИСВЧПЭ РАН Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН) Директор ИСВЧПЭ РАН, П.П. Мальцев д.т.н., профессор

2 Объединенная научно-исследовательская лаборатория «Сверхвысокочастотные и оптоэлектронные устройства» (ОНИЛ СОУ) Объединенная научно-исследовательская лаборатория «Сверхвысокочастотные и оптоэлектронные устройства» (ОНИЛ СОУ) создана в 2007 году согласно Генеральному соглашению между МГТУ МИРЭА и ИСВЧПЭ РАН от 01 ноября 2007 года. Заведующий лабораторией - д.т.н. Белкин Михаил Евсеевич. Целью деятельности ОНИЛ СОУ является решение комплексных научных, производственных и учебных задач в области исследования, разработки, проектирования и опытного производства изделий СВЧ микро- и наноэлектроники, микро- и нанофотоники для перспективных телекоммуникационных и радиолокационных применений. ИСВЧПЭ РАН

3 Структурная схема оптоэлектронного генератора (ОЭГ) L.Maleki. Recent Progress in Opto-Electronic Oscillator.– Microwave Photonics International Topical Meeting, 12–14 Oct. 2005, p. 81–84. ИСВЧПЭ РАН

4 Структурная схема связанного оптоэлектронного генератора (СОЭГ) X. S. Yao, L. Maleki, L. Davis. Coupled opto-electronic oscillators. – Proceedings of the 1998 IEEE International Frequency Control Symposium, 1998, p X. S. Yao, L. Davis, L. Maleki. Coupled opto-electronic oscillator for generating both RF signals and optical pulses. – Journal of Lightwave Technology, vol. 18, 2000, p.73. ИСВЧПЭ РАН

5 Оптоэлектронный генератор сигналов СВЧ-диапазона Патент на изобретение Оптоэлектронный генератор сигналов СВЧ-диапазона. М.Е. Белкин, Л.М. Белкин ИСВЧПЭ РАН

6 Общий вид экспериментального образца оптоэлектронного генератора СВЧ диапазона, разработанного в ОНИЛ СОУ ИСВЧПЭ РАН Государственный контракт «Исследования по созданию конструктивно-технологического базиса монолитных интегральных схем крайне высоких частот в диапазоне ГГц» Сроки: По ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» на гг. заказчик Минобрнауки России

7 Сравнение ОЭГ с серийно выпускаемыми изделиями известных зарубежных изготовителей МИС генераторов СВЧ диапазона, как на базе генератора, управляемого напряжением, (ГУН) с варакторной перестройкой частоты, так и на базе современного синтезатора частот ИСВЧПЭ РАН Мощность генерации, дБм Полоса перестройки частоты, ГГц Подавление побочных мод в спектре, дБ Уровень ЧМ-шумов при отстройке от несущей частоты: 10 кГц100 кГц1 МГц СВЧ генератор HMC388LP44,93,15-3, СВЧ генератор CHV ,6-12, Синтезатор частот ADF435052,2-4, ОЭГ, разработанный в ОНИЛ СОУ9,12, ,4-128,2-137,4

8 ПОСТАНОВЛЕНИЕ ПРЕЗИДИУМА РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК ( 279 от 25 декабря 2012 года) Согласовать следующие дополнительные Основные научные направления ИСВЧПЭ РАН: - расчет и моделирование систем на кристалле с интегрированными антеннами и усилителями для крайне высоких частот в диапазоне от 50 до 250 ГГц; ИСВЧПЭ РАН - исследование принципов функционирования и разработка СВЧ оптоэлектронных генераторов в частотном диапазоне от сотен мегагерц до сотен гигагерц; - создание терагерцовых устройств на полупроводниковой электронике в частотном диапазоне от 300 до 900 ГГц.