Программа Model Подготовка описания модели для программы MC6, MC7. - презентация

1 Программа Model Подготовка описания модели для программы MC6, MC7

2 2 ОКНО ПРОГРАММЫ MODEL

3 3 В таблицу данных заносят данные по току коллектора и напряжения база эмиттер в режиме насыщения.

4 4 Схема измерения ВАХ

5 5 Определение тока коллектора насыщения и соответствующего ему напряжения эмиттер-база насыщения (в эксперименте определяется ток базы насыщения)

6 6 Определение напряжения насыщения по заданному току базы насыщения.

7 7

8 8 Результат расчета после инициализации и оптимизации

9 9

10 10 Расчет поле двух введенных точек, ошибка расчета 4.5%

11 11 Следующее окно (горячие клавиши CTRL/->) Зависимость выходной проводимости от тока коллектора

12 12 Расчет ведется по выходной характеристике. Но можно задать напряжение Эрли и из геометрических построения на выходной характеристике. hoe=dIc/dVce dIc=1.040 mA dVce=2.595 V

13 13 Значения статического коэффициента усиления тока в схеме ОЭ, B как функция от тока коллектора Ic

14 14

15 15 Зависимость напряжения насыщения коллектор эмиттер от тока коллектора

16 16 Зависимость напряжения насыщения коллектор эмиттер от тока коллектора, при заданном отношении тока коллектора к току базы. Это (Ic/Ib) отношение определяется из выходных и входных характеристик.

17 17 Зависимость напряжения насыщения коллектор эмиттер от тока коллектора, при заданном отношении тока коллектора к току базы. Это (Ic/Ib) отношение определяется из выходных и входных характеристик.

18 18 Барьерная емкость перехода эмиттер-база. Таблица значений. В справочнике может быть приведено только одно значение. Примечание: Напряжение обратного смещения всегда берется положительным.

19 19 Барьерная емкость перехода коллектор-база. Таблица значений. В справочнике может быть приведено только одно значение. Примечание: Напряжение обратного смещения всегда берется положительным.

20 20 Барьерная емкость перехода эмиттер-база. Таблица значений. В справочнике может быть приведено только одно значение. Примечание: Напряжение обратного смещения всегда берется положительным.

21 21 Таблица времени рассасывания от тока коллектора. При заданном отношении токов коллектор/база. Этот параметр может быть оценен по ориентировочно из технологических параметров транзистора.

22 22 Создание файла (*.lib) – текстового файла описания параметра модели. Создание файла (*.lbr) – двоичного файла описания параметра модели.

23 23 Зависимость граничной частоты коэффициента передачи тока Ft в схеме с ОЭ от тока коллектора. Этот параметр может быть оценен по приведенным в справочнике данных о частоте Fbeta