Дисциплина: Электротехника и электроника Лектор: Валерий Петрович Довгун доктор технических наук, профессор. - презентация

1 Дисциплина: Электротехника и электроника Лектор: Валерий Петрович Довгун доктор технических наук, профессор

2 САМОСТОЯТЕЛЬНАЯ РАБОТА: 1. Подготовка к выполнению и защите лабораторных работ. 2. Самостоятельное изучение отдельных разделов курса. Электротехника и электроника 2 АУДИТОРНЫЕ ЗАНЯТИЯ: Лекции, практические задания, лабораторные работы

3 Электротехника и электроника ИТОГОВАЯ АТТЕСТАЦИЯ Третий семестр: зачет. Четвертый семестр: экзамен. 3

4 Электротехника и электроника Рекомендуемая литература 1.Новожилов, О. П. Электротехника и электроника: учебник / О. П. Новожилов. – М.: Гардарики, – 653 с. 2.Довгун, В. П. Электротехника и электроника: учеб. пособие: в 2-х ч. Ч. 1 / В. П. Довгун. – Красноярск: ИПЦ КГТУ, – 270 с. 3.Довгун, В. П. Электротехника и электроника: учеб. пособие: в 2-х ч. Ч. 2 / В. П. Довгун. – Красноярск: ИПЦ КГТУ, – 252 с. 4

5 Электротехника и электроника Первые компьютеры 5

6 Электротехника и электроника Первые компьютеры 6

7 Электротехника и электроника Электрические свойства полупроводников Полупроводниками называют вещества, удельная проводимость которых имеет промежуточное значение между удельными проводимостями металлов и диэлектриков. В отличие от металлов в полупроводниках носители заряда возникают при повышении температуры или поглощении энергии от другого источника. В полупроводниках электропроводность осуществляется двумя различными видами движения электронов. Проводимость полупроводников можно менять в широких пределах, добавляя ничтожно малые количества примесей. 7

8 Электротехника и электроника Электрические свойства полупроводников Структура кристалла кремния Атомы кремния способны объединять свои валентные электроны с другими атомами кремния с помощью ковалентных связей. 8

9 Электротехника и электроника Электрические свойства полупроводников При освобождении электрона в кристаллической решетке появляется незаполненная межатомная связь. Такие «пустые» места с отсутствующими электронами получили название дырок. Возникновение дырок в кристалле полупроводника создает дополнительную возможность для переноса заряда. Дырка может быть заполнена электроном, перешедшим под действием тепловых колебаний от соседнего атома. Последовательное заполнение свободной связи электронами эквивалентно движению дырки в направлении, противоположном движению электронов, что равносильно перемещению положительного заряда. 9

10 Электротехника и электроника Электрические свойства полупроводников Таким образом, в полупроводнике имеются два типа носителей заряда – электроны и дырки, а общая проводимость полупроводника является суммой электронной проводимости (n-типа) и дырочной проводимости (р-типа). Для увеличения проводимости чистых полупроводниковых материалов применяют легирование – добавление небольших количеств посторонних элементов, называемых примесями. Используются два типа примесей. Примеси первого типа – пятивалентные – состоят из атомов с пятью валентными электронами. Примеси второго типа – трехвалентные – состоят из атомов с тремя валентными электронами. 10

11 Электротехника и электроника Электрические свойства полупроводников Структура кристалла кремния, легированного пятивалентным материалом (фосфором) 11

12 Электротехника и электроника Электрические свойства полупроводников Атом фосфора называют донором, поскольку он отдает свой лишний электрон. Электроны в таком полупроводнике являются основными носителями, а дырки – неосновными носителями. Основные носители имеют отрицательный заряд, поэтому такой материал называется полупроводником n-типа. В качестве донорных примесей для германия и кремния используют фосфор, мышьяк, сурьму. 12

13 Электротехника и электроника Электрические свойства полупроводников Когда полупроводниковый материал легирован трехвалентными атомами, например атомами индия (In), то эти атомы разместят свои три валентных электрона среди трех соседних атомов. Это создаст в ковалентной связи дырку. Структура кристалла кремния, легированного трехвалентным материалом 13

14 Электротехника и электроника Электрические свойства полупроводников Так как дырки легко принимают электроны, то атомы, которые вносят в полупроводник дополнительные дырки, называются акцепторами. Дырки являются основными носителями, а электроны – неосновными. Поскольку основные носители имеют положительный заряд, материал называется полупроводником р-типа. В качестве акцепторных примесей в германии и кремнии используют бор, алюминий, галлий, индий. 14

15 Электротехника и электроника Вольт-амперная характеристика р–n-перехода Контакт двух полупроводников с различными типами проводимости называется р–n-переходом. Сопротивление р–n-перехода зависит от направления тока через него. Поскольку концентрация электронов в n-области значительно больше их концентрации в p-области, происходит диффузия электронов из n-области в p- область. В n-области остаются неподвижные положительно заряженные ионы доноров. Одновременно происходит диффузия дырок из p- области в n-область. За счет этого приграничная р-область приобретает отрицательный заряд, обусловленный отрицательно заряженными ионами акцепторов. 15

16 Электротехника и электроника Вольт-амперная характеристика р–n-перехода Прилегающие к р–n-переходу области образуют слой объемного заряда, обедненный основными носителями. В слое объемного заряда возникает контактное электрическое поле E k, препятствующее дальнейшему переходу электронов и дырок из одной области в другую. 16

17 Электротехника и электроника Полупроводниковые диоды Полупроводниковый диод – двухполюсный прибор, имеющий один p–n-переход. Упрощенная структура диода Электрод диода, подключенный к p-области, называют анодом (А), а электрод, подключенный к n- области – катодом (К). 17

18 Электротехника и электроника Полупроводниковые диоды Область с высокой концентрацией примеси называют эмиттером. Функции эмиттера может выполнять как катод, так и анод. Область с низкой концентрацией примесей называют базой. База имеет значительно большее объемное сопротивление, чем эмиттер. Условное графическое обозначение диода 18

19 Электротехника и электроника Полупроводниковые диоды Вольт-амперная характеристика диода 19

20 Электротехника и электроника Полупроводниковые диоды Идеальная ВАХ p–n-перехода описывается выражением, Здесь: – температурный потенциал; k –постоянная Больцмана; T – абсолютная температура в градусах Кельвина; e – заряд электрона. При комнатной температуре (20 C). Для упрощения расчетов полагают, что при комнатной температуре. 20

21 Электротехника и электроника Полупроводниковые диоды Ток I 0 называют тепловым, или обратным, током насыщения. Величина этого тока зависит от материала, площади p–n -перехода и от температуры. Типичные значения I 0 : от до А. Обратный ток диода зависит от температуры. У кремниевых диодов он удваивается при увеличении температуры приблизительно на 7 С. На практике считают, что обратный ток кремниевых диодов увеличивается в 2,5 раза при увеличении температуры на каждые 10 С. 21

22 Электротехника и электроника Полупроводниковые диоды 22 Если прямое напряжение перехода U > 0.1 B, то, и уравнение диода можно записать в упрощенном виде:

23 Электротехника и электроника Анализ цепей с диодами 23 Основная трудность, возникающая при анализе цепей с диодами: ВАХ диода нелинейна в середине рабочей области. Простейшую модель диода можно получить, полагая прямое напряжение и обратный ток равными нулю. Такой элемент называют идеальным диодом. Поведение идеального диода описывается уравнениями: Мощность идеального диода при любой полярности приложенного напряжения равна нулю:

24 Электротехника и электроника Анализ цепей с диодами 24 Вольт-амперная характеристика идеального диода образована двумя отрезками прямых, совпадающих с осями координат U, I. Когда диод смещен в прямом направлении, он эквивалентен короткому замыканию. При обратном напряжении идеальный диод подобен разрыву.

25 Электротехника и электроника Анализ цепей с диодами 25 Более точная модель диода:

26 Электротехника и электроника Анализ цепей с диодами 26 При анализе цепей с идеальными диодами можно использовать следующую процедуру. 1. На первом шаге полагаем, что все диоды смещены в прямом направлении, и заменяем их короткими замыканиями. 2. Анализируем полученную схему и определяем направления токов через диоды. Если направление тока, полученное в результате расчета, совпадает с прямым током диода, оставляем короткое замыкание, если нет – заменяем его разрывом. 3. Анализируем цепь, полученную на втором шаге, и находим фактические значения напряжений и токов.

27 Электротехника и электроника Выпрямители 27 Выпрямители служат для преобразования переменного напряжения питающей сети в постоянное. Основными компонентами выпрямителей служат вентили – элементы с явно выраженной нелинейной ВАХ. В качестве таких элементов используют кремниевые диоды. Однополупериодный выпрямитель

28 Электротехника и электроника Выпрямители 28 Напряжения на входе и выходе однополупериодного выпрямителя Среднее значение выпрямленного напряжения Максимальное обратное напряжение на диоде

29 Электротехника и электроника Выпрямители 29 Двухполупериодный выпрямитель с выводом от средней точки вторичной обмотки трансформатора u1u1 VD2 Диоды проводят ток поочередно, каждый в течение полупериода. В положительный полупериод открыт диод VD1, а в отрицательный – диод VD2.

30 Электротехника и электроника Выпрямители 30 Напряжение на нагрузке Средние значения тока и напряжения нагрузки ;

31 Электротехника и электроника Выпрямители 31 Мостовая схема двухполупериодного выпрямителя u2u2 u1u1 Tp VD1 VD3 VD2 VD4 R uнuн

32 Электротехника и электроника Выпрямители 32 Для уменьшения пульсаций выпрямленного напряжения используют специальные устройства – сглаживающие фильтры Емкостный фильтр (С-фильтр) в схеме однополупериодного выпрямителя Сглаживание пульсаций выпрямленного напряжения происходит за счет периодической зарядки конденсатора С (когда напряжение на вторичной обмотке трансформатора превышает напряжение на нагрузке) и последующей его разрядки на сопротивление нагрузки

33 Электротехника и электроника Выпрямители 33 Временные диаграммы напряжений и токов выпрямителя

34 Электротехника и электроника Выпрямители 34 На интервале времени t 1 – t 2 диод открыт и конденсатор заряжается. На интервале t 2 – t 3 диод закрыт и конденсатор разряжается через сопротивление R н Амплитуда пульсаций выпрямленного напряжения - частота входного напряжения Амплитуда пульсаций напряжения на выходе двухполупериодного выпрямителя

35 Электротехника и электроника Биполярные транзисторы Биполярный транзистор – трёхполюсный полупроводниковый прибор с двумя p–n-переходами n–p–n- транзистор 35

36 Электротехника и электроника Биполярные транзисторы p–n–p- транзистор 36

37 Электротехника и электроника Биполярные транзисторы Структура биполярного транзистора n n p 37

38 Электротехника и электроника Биполярные транзисторы Активный режим работы биполярного транзистора – коэффициент передачи тока эмиттера. У интегральных транзисторов = 0.99–

39 Электротехника и электроника Биполярные транзисторы Режим отсечки: В Режим насыщения: В 39

40 Характеристики биполярных транзисторов Электротехника и электроника U бэ IбIб U кэ, В I б = 0 I к, мА I б = 20 мкА I б = 40 мкА 40 Входная характеристикаВыходные характеристики

41 Электротехника и электроника Модели биполярных транзисторов Линеаризованные характеристики биполярного транзистора IбIб U бэ U кэ IкIк I б4 I б3 Iб2Iб2 I б1 I б = 0 41

42 Электротехника и электроника Модели биполярных транзисторов Модель биполярного транзистора для активного режима 42

43 Модели биполярных транзисторов Модель биполярного транзистора для режима насыщения Электротехника и электроника 43

44 Усилительный каскад на биполярном транзисторе Электротехника и электроника 44

45 Усилительный каскад на биполярном транзисторе Конденсаторы и – разделительные; Делитель напряжения – определяет положение рабочей точки эмиттерного перехода. - – цепь отрицательной обратной связи. Резистор преобразует изменение тока коллектора в выходное напряжение. Электротехника и электроника 45

46 Электротехника и электроника Усилительный каскад на биполярном транзисторе Анализ для постоянной составляющей 46

47 Усилительный каскад на биполярном транзисторе Электротехника и электроника Эквивалентная схема для постоянной составляющей 47 Ток базы Ток коллектора

48 Электротехника и электроника Усилительный каскад на биполярном транзисторе Схема замещения для переменной составляющей Выходное напряжение 48

49 Полевые транзисторы Электротехника и электроника Полевой транзистор – полупроводниковый прибор, в котором регулирование тока осуществляется изменением проводимости проводящего канала с помощью поперечного электрического поля Электроды полевого транзистора – исток (И), сток (С) и затвор (З). Управляющее напряжение прикладывается между затвором и истоком 49

50 Полевые транзисторы Электротехника и электроника Классификация полевых транзисторов 1. С управляющим p–n-переходом; 2. С металлическим затвором, изолированным от канала диэлектриком. Приборы второго типа называют МОП-транзисторами. 50

51 Полевой транзистор с управляющим p–n- переходом Электротехника и электроника Р+Р+ Р 51

52 Полевой транзистор с управляющим p–n- переходом Электротехника и электроника Выходные характеристики U зи = –1 В U зи = –2 В U зи = –3 В 52

53 Полевой транзистор с управляющим p–n- переходом Электротехника и электроника Передаточная характеристика При напряжении затвор-исток, равном напряжению отсечки ток стока близок к нулю. У n-канального ПТ напряжение затвор-исток отрицательно. 53

54 МОП-транзистор с индуцированным каналом Электротехника и электроника 54

55 МОП-транзистор с индуцированным каналом Электротехника и электроника Выходные характеристики Режимы полевого транзистора: - линейный; - насыщения; - отсечки. 55

56 МОП-транзистор с индуцированным каналом Электротехника и электроника Линейный (триодный) режим работы МОП- транзистора Ток стока 56

57 МОП-транзистор с индуцированным каналом Электротехника и электроника b – удельная крутизна МОП-транзистора:. – приповерхностная подвижность носителей, – удельная емкость затвор-канал, L – длина, W – ширина канала. 57

58 МОП-транзистор с индуцированным каналом Электротехника и электроника При малых значениях напряжения сток-исток При малых значениях канал МОП-транзистора эквивалентен линейному резистору. Величина – проводимость канала Сопротивление канала: 58

59 МОП-транзистор с индуцированным каналом Электротехника и электроника Режим насыщения МОП-транзистора Ток стока 59

60 МОП-транзистор с индуцированным каналом Электротехника и электроника Передаточная характеристика МОП-транзистора – напряжение отсечки 60

61 МОП-транзистор с встроенным каналом Электротехника и электроника 61

62 МОП-транзистор с встроенным каналом Электротехника и электроника Выходные характеристики U зи = 1 В U зи = 0 В U зи = –0.5 В U зи = –1 В U зи = –2 В I c, мА U cи, В 62

63 МОП-транзистор с встроенным каналом Электротехника и электроника Передаточная характеристика U зи U отс I с нач IсIс 63

64 Модели МОП-транзисторов Электротехника и электроника Квадратиная модель МОП-транзистора I c = f(U зи ) UcиUcи U зи 64

65 Модели МОП-транзисторов Электротехника и электроника Квадратичная модель МОП-транзистора или 65

66 Усилитель на полевом транзисторе с управляющим p–n-переходом Электротехника и электроника 66

67 Усилитель на МОП-транзисторе с индуцированным каналом Электротехника и электроника 67

68 Усилитель на МОП-транзисторе с индуцированным каналом Электротехника и электроника Схема замещения для режима малого сигнала Выходное напряжение Коэффициент усиления переменной составляющей напряжения 68

69 Усилители Электротехника и электроника Классификация усилителей 1.По диапазону усиливаемых частот – усилители низких частот (УНЧ), усилители постоянного тока (УПТ), усилители высоких частот (УВЧ), избирательные усилители. 2.По функциональному назначению – усилители напряжения, тока, мощности. 3.По характеру усиливаемого сигнала – усилители непрерывных и импульсных сигналов. 69

70 Усилители Электротехника и электроника Структура усилительного устройства 70

71 Усилители Электротехника и электроника Параметры усилителей Основной количественный параметр – коэффициент усиления (коэффициент передачи). Коэффициент усиления напряжения Коэффициент усиления тока Коэффициент усиления мощности 71

72 Усилители Электротехника и электроника Коэффициент передачи усилителя – комплексная функция частоты: Зависимость модуля коэффициента усиления от частоты называют амплитудно-частотной характеристикой (АЧХ). зависимость аргумента коэффициента усиления от частоты – фазочастотная характеристика (ФЧХ). 72

73 Усилители Электротехника и электроника Примерный вид амплитудно-частотной характеристики усилителя Полоса пропускания ограничена частотами среза и На частотах среза коэффициент усиления напряжения составляет, а коэффициент усиления мощности равен. K(f)K(f) K0K0 0,7K 0 f 01 f02f02 f 73

74 Усилители Электротехника и электроника Логарифмические частотные характеристики Коэффициент усиления удобно измерять в логарифмических единицах – децибелах: Если АЧХ усилителя построена в логарифмическом масштабе, ее называют логарифмической амплитудно-частотной характеристикой (ЛАЧХ или ЛАХ). 74

75 Обратные связи в усилителях Электротехника и электроника Обратной связью называют процесс передачи сигнала из выходной цепи во входную. Цепь, обеспечивающую эту передачу, называют цепью обратной связи. Петля, или контур обратной связи, состоит из прямого пути, образуемого активным элементом, и обратного пути, образуемого цепью обратной связи. 75

76 Обратные связи в усилителях Электротехника и электроника Пример: усилитель, охваченный цепью обратной связи U U U U R R Цепь обратной связи – делитель напряжения, образованный резисторами,. 76

77 Обратные связи в усилителях Электротехника и электроника Выходное напряжение усилителя: Напряжение обратной связи – коэффициент передачи цепи обратной связи. Напряжение на входе усилителя 77

78 Обратные связи в усилителях Электротехника и электроника Выходное напряжение Коэффициент передачи усилителя, охваченного обратной связью, Произведение – коэффициент петлевого усиления, Величина – глубина обратной связи 78

79 Дифференциальные усилители Электротехника и электроника Дифференциальный усилитель (ДУ) – симметричная схема с двумя входами и двумя выходами U UU U U 79

80 Дифференциальные усилители Электротехника и электроника Сигналы на входе дифференциального усилителя представляют в виде суммы дифференциальной и синфазной составляющих: Дифференциальный сигнал равен разности входных напряжений:, а синфазный – их полусумме: 80

81 Дифференциальные усилители Электротехника и электроника Источник сигнала на входе дифференциального усилителя можно представить эквивалентной схемой, показанной на рисунке 81

82 Дифференциальные усилители Электротехника и электроника Коэффициент усиления дифференциального сигнала Коэффициент усиления синфазного сигнала Коэффициент ослабления синфазного сигнала: 82

83 Дифференциальный усилитель на биполярных транзисторах Электротехника и электроника 83

84 Дифференциальный усилитель на биполярных транзисторах Электротехника и электроника Коэффициенты усиления дифференциального сигнала Для симметричного выхода 84

85 Дифференциальный усилитель на биполярных транзисторах Электротехника и электроника Коэффициент усиления синфазного сигнала Коэффициент ослабления синфазного сигнала 85

86 Инвертор на биполярном транзисторе Электротехника и электроника Резистор R Б служит для задания необходимого тока базы. Резистор R K – внутренней нагрузкой инвертора. Резистор R H – внешняя нагрузка. При R H = – режим холостого хода. R K = R H – предельная нагрузка. 86

87 Инвертор на биполярном транзисторе Электротехника и электроника Напряжение логического нуля на входе Напряжение логической единицы на входе 87 Передаточная характеристика инвертора

88 Инвертор на биполярном транзисторе Электротехника и электроника 1. Наличием емкостей эмиттерного и коллекторного переходов. При переключениях происходит заряд и разряд этих емкостей. 88 Переходные процессы в инверторе на биполярном транзисторе определяются следующими причинами. 2. Накоплением и рассасыванием неосновных носителей в базе при переходе транзистора в режимы насыщения и отсечки.

89 Инвертор на биполярном транзисторе Электротехника и электроника 89 Переходные процессы в транзисторе при действии на входе прямоугольного импульса

90 Инвертор на биполярном транзисторе Электротехника и электроника 90 Переходные процессы в транзисторе при действии на входе прямоугольного импульса

91 Инвертор на биполярном транзисторе Электротехника и электроника 91 Процесс переключения инвертора после подачи входного импульса: 1. Задержка фронта. 2. Формирование фронта. 3. Накопление избыточного заряда в базе.

92 Инвертор на биполярном транзисторе Электротехника и электроника 92 Задержка фронта t з – это интервал времени между моментом начала действия импульса и моментом, когда ток коллектора достигает значения, равного 0.1 I кнас. Задержка фронта обусловлена зарядом барьерной емкости эмиттерного перехода. Общее время включения t вкл складывается из времени задержки и длительности фронта: t вкл = t ф + t з

93 Инвертор на биполярном транзисторе Электротехника и электроника 93 После окончания действия входного импульса начинается рассасывание избыточного заряда в базе. За счет этого коллекторный ток не меняется в течение времени. Затем начинается спад коллекторного тока. Одновременно растет напряжение коллектора. Общая длительность выключения: t выкл = t р + t с

94 КМОП-инвертор Электротехника и электроника 94 Схема инвертора на комплементарной (дополняющей) паре МОП-транзисторов В схеме используются два МОП-транзистора с индуцированными каналами n- и p-типов. Подложки обоих транзисторов соединены с истоками

95 КМОП-инвертор Электротехника и электроника Входное напряжение равно нулю. Напряжение, транзистор VT2 находится в состоянии отсечки. Напряжение затвора p-канального транзистора VT1. Напряжение, VT1 находится в линейном режиме. Итак, при выходное напряжение.

96 КМОП-инвертор Электротехника и электроника Входное напряжение Транзистор VT1 находится в режиме отсечки VT2 находится линейном режиме. При выходное напряжение.

97 КМОП-инвертор Электротехника и электроника 97 Транзисторы в схеме инвертора рассчитывают так, чтобы они были согласованы, т. е. имели одинаковые пороговые напряжения и удельные проводимости: Этим обеспечивается симметричная передаточная характеристика.

98 КМОП-инвертор Электротехника и электроника 98 Приповерхностная подвижность дырок в 2–4 раза меньше подвижности электронов. Для согласования ширину канала транзистора VТ1 выбирают в 2–4 раза большей, чем у VТ2. Длина каналов обоих транзисторов одинакова, а ширину выбирают так, чтобы выполнялось равенство

99 КМОП-инвертор Электротехника и электроника 99 Переходные процессы в МОП-инверторах обусловлены в основном перезарядом емкостей, входящих в состав нагрузки. Типичные значения суммарной емкости у инверторов, использующих транзисторы с длиной канала менее 1 мкм, не превышают 1 пФ. Заряд емкости происходит через открытый транзистор VT1, а разряд – через VT2. Время переключения схемы из состояния логической единицы в состояние логического нуля определяют с помощью приближенного равенства

100 КМОП-инвертор Электротехника и электроника 100 Основные свойства КМОП-инвертора 1. В обоих состояниях инвертора один из транзисторов заперт, поэтому ток в цепи между источником и землей ничтожно мал, и в статическом режиме схема практически не потребляет мощность от источника питания. 2. Динамические потери, т. е. мощность, рассеиваемая КМОП-инвертором при тактовой частоте, определяются формулой

101 КМОП-инвертор Электротехника и электроника Выходное напряжение равно нулю или напряжению питания и почти не зависит от параметров транзисторов. Разность выходных напряжений инвертора в закрытом и открытом состояниях максимальна (близка к величине напряжения питания Е). Это обеспечивает высокую помехоустойчивость схемы. 4. КМОП-инверторы обладают значительно большей нагрузочной способностью, чем инверторы на биполярных транзисторах. Входное сопротивление МОП-транзиистора бесконечно велико. Поэтому к его выходу можно подключить большое число аналогичных инверторов. При этом уровень выходного напряжения практически не изменится. 5. КМОП-инвертор является практически идеальным логическим инвертором. Совершенствование технологии производства КМОП- интегральных схем привело к тому, что в настоящее время они стали доминирующими при производстве цифровых интегральных схем.

102 Основные параметры логических элементов Электротехника и электроника 102 Наиболее важные параметры логических элементов: -напряжение источника питания; - уровни напряжений, соответствующие логическим нулю и единице; -помехоустойчивость; -потребляемая мощность; -нагрузочная способность; - быстродействие.

103 Основные параметры логических элементов Электротехника и электроника 103 Напряжение источника питания зависит от типа ИМС. У микросхем ТТЛ и ТТЛШ напряжение питания равно 5 В. У элементов КМОП-логики напряжение питания зависит от минимальной длины канала транзистора

104 Основные параметры логических элементов Электротехника и электроника 104 Напряжения логических нуля и единицы зависят от типа микросхем. Элементы ТТЛ: Напряжение логического нуля,, Напряжение логической единицы,. Выход КМОП-элемента представляет открытый полевой транзистор, подключенный к земле либо к шине питания. Поэтому высокий уровень выходного напряжения таких элементов меньше напряжения питания на 10–20 мВ, а низкий – близок к нулю.

105 Основные параметры логических элементов Электротехника и электроника 105 Помехоустойчивость. Помехоустойчивость в состоянии логической единицы: Помехоустойчивость в состоянии логического нуля:

106 Основные параметры логических элементов Электротехника и электроника 106 Потребляемая мощность равна сумме статической Р СТ и динамической Р ДИН составляющих. Статическая составляющая определяется как среднее арифметическое мощностей, потребляемых логическим элементом в состояниях логических 0 и 1. Динамическая составляющая Р ДИН пропорциональна частоте f : Здесь С Н – емкость нагрузки; – величина логического перепада:

107 Основные параметры логических элементов Электротехника и электроника 107 Быстродействие логического элемента оценивают средним временем задержки распространения сигнала U вых U вх t t 0,5 1 1 t 01 t 10

108 Основные параметры логических элементов Электротехника и электроника 108 t 01 – время задержки распространения при переключении из состояния логического нуля в состояние логической единицы; t 10 – время задержки распространения при переключении из состояния логической единицы в состояние логического нуля. Для стандартных элементов ТТЛ среднее время задержки распространения составляет около 10 нс. У элементов ТТЛШ t зад = 3 нс. Время задержки распространения КМОП-инвертора, реализованного по технологии 0.25 мкм, не превышает 30 пс.

109 Основные параметры логических элементов Электротехника и электроника 109 Энергия переключения равна произведению потребляемой мощности на среднее время задержки распространения:. Энергия переключения измеряется в пикоджоулях и характеризует степень совершенства цифровых ИС. Технология производства является тем более совершенной, чем меньше величина DP.

110 Основные параметры логических элементов Электротехника и электроника 110 Нагрузочная способность цифровых ИС характеризуется коэффициентом разветвления К разв. Коэффициент разветвления равен наибольшему числу ИМС той же серии, которые можно подключить к выходу рассматриваемой схемы, не нарушая ее правильного функционирования. Для элементов ТТЛ-логики К разв = 10. Коэффициент разветвления КМОП-элементов может достигать 100 и более.

111 Стандартные параметры типовых элементов ТТЛ Электротехника и электроника Напряжение питания ТТЛ-элементов. 2. Уровни напряжения на входе и выходе:,,,. 3. Помехоустойчивость:,. 4. Потребляемая мощность инвертора 10 мВт. 5. Время задержки распространения t зад = 10 нс.,,,.,.