Два основных режима фотовозбуждения а) Фотовозбуждение короткими (~0,6 нс) вспышками лазера с более низким числом фотонов во вспышке (lgQ=13-16 ph/cm2). - презентация

1 Два основных режима фотовозбуждения а) Фотовозбуждение короткими (~0,6 нс) вспышками лазера с более низким числом фотонов во вспышке (lgQ=13-16 ph/cm2). б) Непрерывное облучение лазером в течение долгого периода времени (5-40 ч) с общей плотностью фотонов (lgQ =18-23 ph/cm2).

2 Тонкие пленки Y-123 Слева – температурные зависимости сопротивления, пленка 1000 ангстрем, х – от 6,4 до 7 атомов на э.я, Т=100К, облучение аргоновым лазером (λ=514 нм (2.43eV), 8ч ), мощность 1,83Вт/см2 (1,4*10^23 Фотон/см²). Видно, что эффект сильнее для недодопированных образцов. Вверху – величина эффекта δТс для различных х. Приведено сравнение кривых δТс и ΔТс, в зависимости от х, где ΔТс – изменение температуры перехода, вызванное упорядочиванием кислорода, δТс – изменение температуры перехода, в результате облучения. Видно, что кривые подобны.

3 Зависимость эффекта от числа накопленной дозы облучения в пленках Y-123. Зависимость сопротивления пленки (δ=0,38, d 70 nm) от температуры, измеренной в тени после облучения при 100 К (Eph=2.43eV), с поглощенным числом фотонов Q=0 (1), Q=4,8*10 21 (2) Q=1.4*10 22 (3), Q=1.8*10 22 (4), Q=3.6*10²²(5), Q=6.3*10²²(6) Q=9.9*10²²(7) Q=5.3*10²³(8)

4 Монокристаллы Y-123 Эффект фотопроводимости в монокристаллах Y-123,δ=0.3, облучение азотным лазером (hω=3,7 eV, 600ps ширина импульса). На рисунке представлена зависимость сопротивления от температуры для различных доз поглощенных фотонов. Видно, что сопротивление также сильно падает (для I=10^16 фотон/см² при 80 К сопротивление падает более, чем на 10 порядков).

5 Облучение рентгеном Рентгеновское излучение применялось при исследовании керамики. В качестве образцов использовались таблетки YBa 2 Cu 3 O 6+δ, δ0. Источник – рентгеновская трубка Siemens AGW 66 G, вольфрамовый анод, бериллиевое окно, алюминиевый фильтр, напряжение на трубке – 60 кВ, ток – 30мА, hω=5.7*10 4. Рисунок показывает эволюцию плотности тока после облучения при 72 К при увеличения времени облучения (ток в трубке 30 мА). Эффект прекращался после нахождения образца при температуре выше комнатной в течение нескольких часов (ночь).

6 Tl 2 Ba 2 CuO 6+δ Кривые температурной зависимости сопротивления двух пленок Tl 2 Ba 2 CuO 6+δ с разным уровнем допирования толщина – Ǻ, доза облучения – 0,1 мВт/см² а) Исходная Тс60 К (сплошная линия), в процессе облучения E ph =1,25 eV (штрихпунктир) и E ph =3.13 (штрих). б) Исходная Тс=13 К (сплошная линия), в процессе облучения E ph =3.13. Видно, что при облучении светом с длиной волны 1000 нм Тс возрастает, при облучении же светом 400 нм Тс уменьшается. Фотоиндуцированные изменения Тс и ρ сравнимы с изменениями в оптимально допированном R123, однако существенно меньше, чем в недодопированном R123.

7 Спектральная зависимость фотоэффекта в передопировнном Tl-2201 Спектральная зависимость изменения сопротивления от энергии фотонов для двух различных пленок, начальная Т с = 60 К (а) и 13 К (б).

8 Bi 2 Sr 2 CaCu 2 O 8+δ Видно, что сопротивление растет с ростом времени облучения (рис 15), что расходится с данными по R123. Явное падение Тс на приблизительно 4 К наблюдается на после 102 ч облучения Температурная зависимость сопротивления пленки Bi-2212 на SrTiО3–подложке, Tc=67 K, толщина – нм, облучение – гелий-неоновый лазер, λ=638,2 нм, температура при облучении – около 100 К, мощность – 100Вт/см²