Ионно-лучевая обработка пленок GaN А.И. Стогний, А.С. Шуленков.

Презентация:



Advertisements
Похожие презентации
LOGO Практическая деятельность Лаборатории Информатизации в реализации проекта по профильности МБОУ «ДСОШ 3» Ерофеева А.В.
Advertisements

L o g o Презентация методической системы Рыбалкина Светлана Викторовна учитель-тьютор Павловского района.
Разработка технологий повышения эксплуатационных свойств циркониевых конструкционных элементов ядерных энергетических реакторов Б.В. Бушмин, В.С. Васильковский,
Вакуумная установка Вакуумная система Система контроля и управления Транспорти- рующая система Устройства испарения/ распыления Вспомага- тельные устройства.
LOGO Построение и смещение графиков. Прямая пропорциональность y = x 0 х у y = -x.
РГУ им. Иммануила Канта Инновационный парк Центр ионно-плазменных и нанотехнологий ОЖЕ МИКРОАНАЛИЗАТОР JAMP – 9500 F Образец до травления Образец после.
Белорусский государственный университет Выпускная работа по «Основам информационных технологий» Пархоменко Ирины Николаевны Применение информационных технологий.
МАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА НАНОРАЗМЕРНЫХ ПЛЕНОК Mg(Fe 0.8 Ga 0.2 ) 2 O 4-d НА КРЕМНИИ А.В.Труханов 1*, С.В.Труханов 1, А.Н.Васильев 2 1 ГО«НПЦ НАН Беларуси по.
Методы ионно-лучевой обработки и нанотехнологических исследований Сарымсаков Р. Г. ИУ4-73.
Получение объемных наноматериалов. 2 Основные методы получения объемных материалов.
Формирование и исследование наноразмерных объектов с помощью экспериментальных методик развитых в НИИЯФ МГУ Автор: Черн ых Павел Николаевич..
Установка магнетронного распыления и дугового испарения ООО НПЦ «Поиск-МарГТУ» Н.И. Сушенцов.
КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК ГИДРОГЕНИЗИРОВАННОГО АМОРФНОГО КРЕМНИЯ С ПРИМЕНЕНИЕМ ФЕМТОСЕКУНДНЫХ ЛАЗЕРНЫХ ИМПУЛЬСОВ Володин В.А. Качко.
Травление микро- и нано структур Травление используется для переноса рисунка фоторезистивной маски в нижележащий слой материала посредством его селективного.

LOGO Click to edit Master subtitle style PowerPoint Template.
Применение IT в модернизации Smart-cut метода формирования структру Кремний-на-изоляторе Выполнил: Козлов Андрей Викторович Руководитель: к.ф.-м.н. Чваркова.
Company LOGO ThemeGallery PowerTemplate Click to edit subtitle style.
ВНЦ ГОИ им. Вавилова Школа «б» класс Исследование способов защиты поверхности оптических деталей из нестойких стёкол Исполнитель: Гукасов Артём Арсенович.
Транксрипт:

Ионно-лучевая обработка пленок GaN А.И. Стогний, А.С. Шуленков

LOGO Установка ионно-лучевого нанесения, если надо - травления 1 – широкоапертурный источник ионов для распыления мишени 2 – держатель мишеней 3 – источник низкоэнергетических ионов 4 – подложкодержатель 5 – крышка 6 – подвижная заслонка

LOGO Контроль толщины АСМ-изображение пористой поверхности стеклянной подложки АСМ-изображение пленки золота толщиной около 4 нм АСМ-изображение бислойной структуры NiO X /Au

LOGO Оптические свойства пленок золота Расчётная толщина <0.8 нм Толщина >1.2 нм

LOGO Оптические свойства пленок золота

LOGO Формирование контактного слоя Исходная поверхность p-GaN Поверхность контактной структуры Au(4nm)/BeO(4nm)/p-GaN

LOGO Формирование контактного слоя

LOGO ВАХ-контактов

LOGO Исходная поверхность, борьба за гладкость

LOGO Имплантированная поверхность 120 кэВ, 16 м Кл, Ar +. Жалко, не получилось

LOGO Имплантированная поверхность 120 кэВ, 16 м Кл, Ar + после травления

LOGO Имплантированная поверхность 120 кэВ, 5 м Кл, Ar + после травления

LOGO Исходная поверхность после травления

LOGO Спасибо за внимание, мы и так ярче всех!!!!

Click to edit company slogan.