Ионно-лучевая обработка пленок GaN А.И. Стогний, А.С. Шуленков
LOGO Установка ионно-лучевого нанесения, если надо - травления 1 – широкоапертурный источник ионов для распыления мишени 2 – держатель мишеней 3 – источник низкоэнергетических ионов 4 – подложкодержатель 5 – крышка 6 – подвижная заслонка
LOGO Контроль толщины АСМ-изображение пористой поверхности стеклянной подложки АСМ-изображение пленки золота толщиной около 4 нм АСМ-изображение бислойной структуры NiO X /Au
LOGO Оптические свойства пленок золота Расчётная толщина <0.8 нм Толщина >1.2 нм
LOGO Оптические свойства пленок золота
LOGO Формирование контактного слоя Исходная поверхность p-GaN Поверхность контактной структуры Au(4nm)/BeO(4nm)/p-GaN
LOGO Формирование контактного слоя
LOGO ВАХ-контактов
LOGO Исходная поверхность, борьба за гладкость
LOGO Имплантированная поверхность 120 кэВ, 16 м Кл, Ar +. Жалко, не получилось
LOGO Имплантированная поверхность 120 кэВ, 16 м Кл, Ar + после травления
LOGO Имплантированная поверхность 120 кэВ, 5 м Кл, Ar + после травления
LOGO Исходная поверхность после травления
LOGO Спасибо за внимание, мы и так ярче всех!!!!
Click to edit company slogan.