Целочисленный квантовый эффект Холла B. В сильном магнитном поле электрон локализован в окрестности своей классической орбиты Электрон дрейфует поперек.

Презентация:



Advertisements
Похожие презентации
Целый квантовый эффект Холла. Квантование уровней в магнитном поле (подуровни Ландау) 2.2. Целый квантовый эффект Холла.
Advertisements

1D проводимость невзаимодействующих электронов.
3D Определение: металл 0 изолятор 0 Имеет смысл только при T = 0 T n ИзоляторМеталл Изолированная точка на фазовой диаграмме Переход металл-изолятор.
Проводимость [ 1 cm 2-d ] Кондактанс Y [ 1 ] Безразмерный кондактанс y L ребро куба Скейлинговая гипотеза ( Для описания перехода металл-изолятор ? При.
Прыжковая проводимость. Примеры локализованных состояний I. Центрально-симметричная прямоугольная трехмерная потенциальная яма II. Прямоугольная одномерная.
Устройство полевого транзистора Полевой транзистор - это полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей,
Высокорезистивные сплавы с большой электронной плотностью – отсутствие перехода Андерсона В.Ф. Гантмахер Харьков,
Электрофизические свойства проводниковых материалов Автор Останин Б.П. Эл. физ. свойства проводниковых материалов. Слайд 1. Всего 12 Конец слайда.
Поверхностная сверхпроводимость. Контактные явления. Тонкие пленки Размерные эффекты.
Проходные и переходные характеристики МДП- транзистора Трифонова Н. Харлукова О. гр
Лекция 9. ТЕРМОЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ. Термоэлектронная эмиссия. Статистический и термодинамические вывод формулы плотности тока термоэлектронной эмиссии.
Структура примесной зоны Зона проводимости Валентная зона Уровень изолированного донора Уровень изолированного акцептора Электрические поля заряженных.
Переходные характеристики МДП транзистора Разгуляев О. А.
Циклотронный резонанс в сильных магнитных полях в гетероструктурах на основе CdHgTe М.С.Жолудев диафильмЦРэкспериментрезультаты.
Спиновый парамагнетизм в теории Стонера. Переход металл – диэлектрик. Модель Хаббарда. Модель Мотта 1.7. Зонная теория ферромагнетизма.
Гранулированные металлы. X.Yu, M.B.Duxbury, G.Jeffers, M.A.Dubson, Phys.Rev. B 44, (1991) In, напыленный на SiO 2 при комнатной температуре.
Модель свободных электронов, также известна как модель Зоммерфельда или модель Друде-Зоммерфельда, простая квантовая модель поведения валентных электронов.
Conductance of a STM contact on the surface of a thin film * N.V. Khotkevych*, Yu.A. Kolesnichenko*, J.M. van Ruitenbeek** *Физико-технический институт.
Квантовые поправки к проводимости Слабая локализация и межэлектронное взаимодействие Два типа электронного рассеяния: Упругое с вероятностью 1/ Выражение.
ВЛИЯНИЕ РЕЗОНАНСНОГО ЭЛЕКТРОН- ФОНОННОГО ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ НА ЭЛЕКТРОННЫЙ СПЕКТР ВОЛЬФРАМА И ГАЛЛИЯ Ю. А. Авраменко, Н. Г. Бурма, А. И. Петришин, В. Д. Филь.
Транксрипт:

Целочисленный квантовый эффект Холла B

В сильном магнитном поле электрон локализован в окрестности своей классической орбиты Электрон дрейфует поперек электрического поля, а вдоль поля смещается только при наличии рассеяния

Тензоры проводимости и сопротивления

Классическое движение в магнитном поле. ~ ~ ~ Уравнение движения с трением и с усреднением по времени ~ ~ ~ ~ ~ z y x B E ~ При

Продольная проводимость возникает в результате рассеяния в объеме... или вдоль поверхности

Магнитное и размерное квантования b B Вырожденность всех (N, N z )- уровней одинакова и равна Число занятых уровней В полях = i целые числа и все занятые уровни заполнены полностью.

Влияние края на энергию 2D-электрона в магнитном поле N=1 N=0

Холловский мостикДиск Корбино xx, xy xx Основные двумерные системы: пленки и гетероструктуры... МОП-структуры Основные измерительные конфигурации

K. von Klitzing, C. Probst and M. Pepper, Phys. Rev. Lett. 45, 494 (1980) Нобелевская работа

G.Ebert, K. von Klitzing, C.Probst, K.Ploog, Sol. State Comm.44, 95 (1982) S.Koch, R.J.Haug, K. von Klitzing, K.Ploog Phys. Rev. B 43, 6828 (1991) ! Основные экспериментальные вопросы: 1. Точность и воспроизводимость xy на плато 2. Относительная протяженность плато 3. Температурная зависимость xx на плато

Идеальный 2D-слой Идеальный 2D-слой в состоянии изолятора Локализованный уровень в неидеальном 2D-слое

Случайный двумерный длиннопериодный потенциал превращает плоскость = const в холмистый пейзаж. Уровень Ферми Все характерные длины случайного потенциала много больше ларморовского радиуса Поэтому электроны движутся по спиралям, навивающимся на эквипотенциали. Уровень Ландау превращается в полосу. Состояния на краях полосы локализованы вдоль замкнутых эквипотенциалей, но в центре полосы обязательно есть протяженные состояния, расположенные вдоль эквипотенциалей, уходящих на бесконечность.

Длиннопериодный случайный потенциал Перколяционная сетка

Неидеальный 2D-слой Изменение концентрации носителей Изменение магнитного поля

Форма двумерной области между холловскими контактами несущественна

Потенциал (или ток), приложенный извне Квазиидеальная полоска с двумя контактамиДиск Корбино Эквипотенциали (обычно вдоль них течет холловский ток) На плато

Токи текут : либо по краевым каналам, либо вдоль эквипотенциалей под уровнем Ферми На самом деле происходит распределение токов между краем и объемом в зависимости от рассеяния

Температурная зависимость продольной проводимости в режиме квантового эффекта Холла (т.е. на плато) GaAs – Al x Ga 1 x As E. Stahl, D. Weiss, G. Weimann, K. von Klitzing, K. Ploog, J. Phys. C 18, L783 (1985)

D.C. Tsui, H.L. Störmer, A.C. Gossard Phys. Rev. B (1982) G.Ebert, K. von Klitzing, C.Probst, et al., Sol. State Comm. 45, 625 (1983) Режим Эфроса Шкловского Режим Мотта Температурная зависимость продольной проводимости в режиме квантового эффекта Холла (продолж.) GaAs – Al x Ga 1 x As

Цепочки фазовых переходов M.A. Paalanen, D.C. Tsui, A.C. Gossard, Phys. Rev. B 25, 5566 (1982)

Всплывание уровней Д.Е. Хмельницкий, Phys. Lett. 106A, 182 (1984) Количество заполненных протяженных состояний (минизон Ландау) Эффективное количество состояний в каждой из минизон, у которой есть заполненное протяженное состояние При < 1 локализованные состояния верхних минизон «просачиваются» под протяженные состояния нижних минизон. ~

В 2D-системах уровень Ферми пропорционален концентрации n. Всплывание уровней (продолжение) Поэтому для i-того протяженного состояния (i) Например, в идеальной 2D-системе без магнитного поля i

Всплывание уровней (Эксперимент) I. Glozman, C.E. Johnson, and H.W.Jiang, Phys. Rev. Lett. 74, 594 (1995)

Всплывание уровней (Эксперимент) M. Hilke, D. Shahar, S.H. Song, D.C. Tsui, and Y.H.Xie, Phys. Rev. B 62, 6940 (2000)

Двухпараметрический скейлинг