ГОСТы и обозначения полупроводниковых приборов. ГОСТы Классификации: Классификации: Российская РоссийскаяРоссийская Американская АмериканскаяАмериканская.

Презентация:



Advertisements
Похожие презентации
ГОСТы и обозначения полупроводниковых приборов Работу выполнили студенты группы Федотов Роман Филиппов Артём.
Advertisements

ГОСТы и обозначения ГОСТы и обозначения Авторы. Авторы Работу выполнили студенты ФТФ гр.21306: Сабуров С.Н., Ахала А.О.
ГОСТы и обозначения полупроводниковых приборов. Автор Студент ФТФ группа Ковин А.М.
Выполнили студентки III курса ФТФ гр Митина А.А. и Москалева В.О. ГОСТы и обозначения полупроводниковых приборов.
Графические обозначения Графические обозначения Графические обозначения Графические обозначения Классификации Классификации Классификации.
ГОСТы и обозначения полупроводниковых приборов Работу выполнил студент группы Берегов Роман.
Классификация и обозначения полупроводниковых приборов Выполнено: Тепликов И. Сенюков Е.
ГОСТы ииии обозначения Презентацию подготовили: подготовили:подготовили: Ванин Роман Ванин Роман Ремшу Иван Ремшу Иван.
Стандарты для полупроводниковых приборов Выполнили: студенты группы Мысков Владимир Сладковский Евгений Титовский Михаил.
ГОСТы и условные графические обозначения. При использовании полупроводниковых приборов в электронных устройствах для унификации их обозначения и стандартизации.
Классификация (ГОСТ) и условные обозначения полупроводниковых приборов.
Автор: Старков Д.А., группа 21302, ФТФ. ОБОЗНАЧЕНИЯ УСЛОВНЫЕ ГРАФИЧЕСКИЕ В СХЕМАХ. Приборы полупроводниковые.
ГОСТы и обозначения ГОСТы и обозначения. Работу выполнил Работу выполнил Мищериков М.Г. Мищериков М.Г.
Презентация по твердотельной электронике. Тема презентации: Классификация и обозначения полупроводниковых приборов. Выполнили студенты физико- технического.
Маркировка зарубежных полупроводниковых компонентов Европейская система PRO-ELECTRON Европейская система PRO-ELECTRON Европейская система PRO-ELECTRON.
Госты и Обозначения Госты и ОбозначенияВот и вся анимация.
Выполнили: Ридаль Валентин Репин Максим Гр.21302, ФТФ, ПетрГУ.
Полупроводниковые диоды1 Полупроводниковые диоды Выполнил: Евгений Трошин Группа:21303.
Классификация приборов в микроэлектронике гр М Дементьев Максим Сергеевич Дементьев Максим Сергеевич.
ТРАНЗИСТОР 1.Биполярный транзистор. 2.Как работает транзистор. 3.Схема, демонстрирующая принцип работы транзистора. 4.Типы, параметры и характеристики.
Транксрипт:

ГОСТы и обозначения полупроводниковых приборов

ГОСТы Классификации: Классификации: Российская РоссийскаяРоссийская Американская АмериканскаяАмериканская Европейская Японская Графические обозначения Графические обозначенияГрафические обозначенияГрафические обозначения Транзисторы Диоды Тиристоры Оптоприборы Основные ГОСТы Основные ГОСТыОсновные ГОСТыОсновные ГОСТы

Российская система обозначений Пример: КК Т 3 15 И Т315И КТ315И

Первый элемент Условные обозначения Г или 1 К или 2 А или 3 И или 4 Исходный материал Германий или его соединения Кремний или его соединения Соединения галлия (например арсенид галлия) Соединения индия (например фосфид индия)

Второй элемент Подкласс (группа) приборов Выпрямительные импульсные диоды, магнитодиоды, термодиоды Транзисторы (исключая полевые) Транзисторы полевые Варикапы Стабилизаторы тока Сверхвысокочастотные диоды Условные обозначения ДТПВКА

Третий элемент Назначение прибора Диоды выпрямительные с прямым током А: 1. менее Генераторы шума: 1.низкочастотные 2.высокочастотные Туннельные диоды: 1.усилительные 2.генераторные 3.переключательные 4.обращенные Туннельные диоды: 1.усилительные 2.генераторные 3.переключательные 4.обращенные Условное обозначение

Четвертый элемент Означает порядковый номер технологической разработки Пятый элемент Буква (от А до Я, кроме З, О и Ч, схожих по написанию с цифрами), определяющая классификацию (разбраковку) по параметрам приборов, изготовленных по единой технологии.

Американская система JEDEC По этой системе приборы обозначаются индексом 2 N 3904 первый элемент - цифра соответствует числу p-n переходов: первый элемент - цифра соответствует числу p-n переходов: 1 - диод 2 - транзистор 3 - тиристор 4 - оптопара второй элемент - буква N второй элемент - буква N третий элемент - серийный номер третий элемент - серийный номер далее могут стоять одна или несколько букв, указывающих на разбивку приборов одного типа на типономиналы по различным характеристикам. далее могут стоять одна или несколько букв, указывающих на разбивку приборов одного типа на типономиналы по различным характеристикам.

Цветовая маркировка

Европейская система Pro Electron Пример: B F X 44 Первый элемент – буква, обозначает исходный полупроводниковый материал, на базе которого создан полупроводниковый прибор: германий – А, кремний – B, арсенид галлия – C, антимонид индия – D. Первый элемент – буква, обозначает исходный полупроводниковый материал, на базе которого создан полупроводниковый прибор: германий – А, кремний – B, арсенид галлия – C, антимонид индия – D. Второй элемент – буква, обозначает подкласс полупроводниковых приборов. Второй элемент – буква, обозначает подкласс полупроводниковых приборов. Второй элемент Второй элемент Третий элемент - цифра или буква, обозначает полупроводниковые приборы, предназначенные для аппаратуры общегражданского применения (цифра) или для аппаратуры специального применения (буква). Третий элемент - цифра или буква, обозначает полупроводниковые приборы, предназначенные для аппаратуры общегражданского применения (цифра) или для аппаратуры специального применения (буква). Четвертый элемент (2 цифры) означает порядковый номер технологической разработки и изменяется от 01 до 99. Четвертый элемент (2 цифры) означает порядковый номер технологической разработки и изменяется от 01 до 99.

Второй элемент в системе Pro Election

Цветная маркировка букв

Японская система JIS Пример: 2 S C 57 Первый элемент Первый элемент 0 – фотодиод, фототранзистор 1 – диод 2 – транзистор 3 – четырехслойный прибор Второй элемент Второй элемент Буква: S Буква: S Третий элемент Третий элемент Третий элемент Третий элемент Буква: обозначает подкласс полупроводниковых приборов Четвертый элемент Четвертый элемент Регистрационный номер технологической разработки: Регистрационный номер технологической разработки: Пятый элемент Пятый элемент Одна или две буквы: модификации прибора Одна или две буквы: модификации прибора (A и B – первая и вторая модификации)

Третий элемент в системе JIC

Графические обозначения ГОСТ «Обозначения условные, графические в схемах. Приборы полупроводниковые»

Транзисторы типа PNP типа NPN Лавинный, типа NPN Однопереходный с N-базой Однопереходный с P-базой Полевой, с каналом типа N

Диоды Общее обозначение ТуннельныйОбращенныйСтабилитрон:одностороннийдвустороннийВарикап

Тиристоры диодный, запираемый в обратном направлении диодный, проводящий в обратном направлении диодный, симметричный триодный триодный, запираемый в обратном направлении с управлением по аноду триодный, запираемый в обратном направлении с управлением по катоду

Оптоприборы Оптрон диодный Оптрон тиристорный Оптрон резисторный Прибор оптоэлектронный с фотодиодом и усилителем Прибор оптоэлектронный с фототранзистором: - с выводом от базы - без вывода от базы

Основные ГОСТы: ГОСТ , ГОСТ – система обозначений полупроводниковых приборов ОСТ , ОСТ – отраслевой стандарт – приборы полупроводниковые. Система условных обозначений ГОСТ Транзисторы полевые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров ГОСТ Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров ГОСТ Приборы полупроводниковые. Термины и определения ГОСТ Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров.

Авторы Группа Ярышкина Екатерина Ярышкина Екатерина Ситченко Настасья Ситченко Настасья