Выполнили: Ридаль Валентин Репин Максим Гр.21302, ФТФ, ПетрГУ. - презентация

1 Выполнили: Ридаль Валентин Репин Максим Гр.21302, ФТФ, ПетрГУ

2 ОБОЗНАЧЕНИЯ УСЛОВНЫЕ ГРАФИЧЕСКИЕ В СХЕМАХ. ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ Unified system for design documentation. Graphical symbols in diagrams. Semiconductor devices

3 Электроды: база с одним выводом база с двумя выводами Р-эмиттер с N- областью N-эмиттер с Р- областью

4 несколько Р-эмиттеров с N -областью несколько N -эмиттеров с Р-областью коллектор с базой несколько коллекторов, например,четыре коллектора на базе

5 Области: область между проводниковыми слоями с различной электропроводностью. Переход от Р-области к N-области и наоборот область собственной электропроводности (I-область): l) между областями с электропроводностью разного типа PIN или NIP

6 2) между областями с электропроводностью одного типа PIP или NIN 3) между коллектором и областью с противоположной электропроводностью PIN или NIP 4) между коллектором и областью c электропроводностью того же типа PIP или NIN

7 Канал проводимости для полевых транзисторов: обогащенного типа обедненного типа Переход PN Переход NP Р-канал на подложке N- типа, обогащенный тип N -канал на подложке Р- типа, обедненный тип

8 Затвор изолированный Исток и сток Примечание. Линия истока должна быть изображена на продолжении линии затвора, например

9 Выводы полупроводниковых приборов: электрически, не соединенные с корпусом электрически соединенные с корпусом Вывод корпуса внешний. Допускается в месте присоединения к корпусу помещать точку

10 Знаки, характеризующие физические свойства полупроводниковых приборов Эффект туннельный а) прямой б) обращенный Эффект лавинного пробоя а) односторонний б) двухсторонний 3-8. Эффект Шоттки

11 Диод Общее обозначение Диод туннельный Диод обращенный Стабилитрон (диод лавинный выпрямительный) а) односторонний б) двухсторонний

12 Диод теплоэлектрический Варикап (диод емкостный) Диод двунаправленный

13 Модуль с несколькими (например, тремя) одинаковыми диодами с общим анодным и самостоятельными катодными выводами Модуль с несколькими одинаковыми диодами с общим катодным и самостоятельными анодными выводами

14 Диод Шотки Диод светоизлучающий

15 Тиристор диодный, запираемый в обратном направлении Тиристор диодный, проводящий в обратном направлении Тиристор диодный симметричный Тиристор триодный. Общее обозначение

16 Тиристор триодный, запираемый в обратном направлении с управлением: по аноду по катоду Тиристор триодный выключаемый: общее обозначение запираемый в обратном направлении, с управлением по аноду

17 запираемый в обратном направлении, с управлением по катоду Тиристор триодный, проводящий в обратном направлении: общее обозначение с управлением по аноду с управлением по катоду

18 Тиристор триодный симметричный (двунаправленный) - триак Тиристор тетроидный, запираемый в обратном направлении Примечание. Допускается обозначение тиристора с управлением по аноду изображать в виде продолжения соответствующей стороны треугольника. атном направлении

19 Транзистор а) типа PNP б) типа NPN с выводом от внутреннего экрана

20 Транзистор типа NPN, коллектор соединен с корпусом Транзистор лавинный типа NPN Транзистор однопереходный с N- базой Транзистор однопереходный с Р- базой Транзистор двухбазовый типа NPN

21 Транзистор двухбазовый типа PNIP с выводом от i-области Транзистор двухбазовый типа PNIN с выводом от I-области Транзистор многоэмиттерный типа NPN Примечание. При выполнении схем допускается: а) выполнять обозначения транзисторов в зеркальном изображении, например, б) изображать корпус транзистора

22 Транзистор полевой с каналом типа N Транзистор полевой с каналом типа Р Транзистор полевой с изолированным затвором баз вывода от подложки: а) обогащенного типа с Р-каналом б) обогащенного типа с N-каналом в) обедненного типа с Р-каналом г) обедненного типа с N-каналом

23 Транзистор полевой с изолированным затвором обогащенного типа с N-каналом, с внутренним соединением истока и подложки Транзистор полевой с изолированным затвором с выводом от подложки обогащенного типа с Р- каналом Транзистор полевой с двумя изолированными затворами обедненного типа с Р-каналом с выводом от подложки

24 Транзистор полевой с затвором Шоттки Транзистор полевой с двумя затворами Шоттки

25 Фоторезистор: а) общее обозначение б)дифференциальный Фотодиод Фототиристор

26 Фототранзистор: а) типа PNP б) типа NPN Фотоэлемент Фотобатарея

27 Оптрон диодный Оптрон тиристорный Оптрон резисторный Прибор оптоэлектронный с фотодиодом и усилителем: а) совмещенно б) разнесенно

28 Прибор оптоэлектронный с фототранзистором: а) с выводом от базы б) без вывода от базы Примечания: 1. Допускается изображать оптоэлектронные приборы разнесенным способом.При этом знак оптического взаимодействия должен быть заменен знаками оптического излучения и поглощения по ГОСТ , например: 2. Взаимная ориентация обозначений источника и приемника не устанавливается, а определяется удобством вычерчивания схемы, например:

29 1. Датчик Холла Токовые выводы датчика изображены линиями, отходящими от коротких сторон прямоугольника Резистор магниточувствительный Магнитный разветвитель

30 1. Однофазная мостовая выпрямительная схема: а) развернутое изображение б) упрощенное изображение (условное графическое обозначение) Примечание. К выводам 1-2 подключается напряжение переменного тока; выводы выпрямленное напряжение; вывод 3 имеет положительную полярность. Цифры 1, 2, 3 и 4 указаны для пояснения. Пример применения условного графического обозначения на схеме

31 Трехфазная мостовая выпрямительная схема Диодная матрица (фрагмент) Примечание. Если все диоды в узлах матрицы включены идентично, то допускается применять упрощенный способ изображения. При этом на схеме должны быть приведены пояснения о способе включения диодов

32 1. Диод 2. Транзистор типа PNР 3. Транзистор типа NPN

33 Транзистор типа PNIP с выводом от I-области Многоэмиттерный транзистор типа NPN Примечание: Звездочкой отмечают вывод базы, знаком «больше» или «меньше» - вывод эмиттера

34 1 РАЗРАБОТЧИКИ В. Р. Верченко, Ю. И. Степанов, Э. Я. Акопян, Ю. П. Широкий, В. П. Пармешин, И. К. Виноградова 2 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от Соответствует СТ СЭВ ВЗАМЕН ГОСТ , ГОСТ в части пп. 33 и 34 таблицы 5 ПЕРЕИЗДАНИЕ (январь 1995 г.) с Изменениями 1, 2, 3, 4, утвержденными в июле 1980 г., апреле 1987 г., марте 1989 г., июле 1991 г. (ИУС 10-80, 7-87, 6-89, 10-91)

35