Справочные материалы «Микросхемы интегральные иностранного производства, ранее допущенные к ограниченному (частному) использованию в радиоэлектронной аппаратуре.

Презентация:



Advertisements
Похожие презентации
Докладчики: Коломенская Наталия Георгиевна – заместитель генерального директора по научной работе ОАО РНИИ «Электронстандарт», к.э.н. Прытков Сергей Федорович-
Advertisements

Презентация по твердотельной электронике. Тема презентации: Классификация и обозначения полупроводниковых приборов. Выполнили студенты физико- технического.
УСИЛИТЕЛЬ НИЗКОЙ ЧАСТОТЫ НА МИКРОСХЕМЕ НА МИКРОСХЕМЕ К174УН7.
ЗАО « Протон - Импульс », г. Орел 16 лет на рынке поставщиков электронных компонентов: твердотельных полупроводниковых реле средней и большой мощности,
ФОРМ Тестирование и испытания изделий электронной техники Требования к входному контролю ЭКБ и их реализация в соответствии с НТД Тестирование и испытания.
В Российской Федерации предусмотрены следующие утвержденные схемы сертификации продукции: Схема сертификации это определенный порядок действий, доказывающий,
Разработка конструкторской документации и проведение испытаний в ГЦИСИ ИНТЕЛИКА.
Исполнительный директор ФС «Энергия» А.И.Холомкина Практические вопросы обеспечения качества ЭКБ ИП при проведении сертификации в системе ФСС КТ Фонд сертификации.
1 Проблемные вопросы обеспечения качества и надежности бортового оборудования космических аппаратов систем спутниковой связи.
Цифровая радиоинтерферометрическая система преобразования сигналов Р1002 Докладчик: Носов Е.В.
Испытательная лаборатория Сертификационные испытания электрорадиоизделий и электронных модулей иностранного производства Докладчик Москалёв Сергей Александрович.
ГОСТы и условные графические обозначения. При использовании полупроводниковых приборов в электронных устройствах для унификации их обозначения и стандартизации.
ГОСТы и обозначения полупроводниковых приборов Работу выполнил студент группы Берегов Роман.
К.т.н., Денисов Андрей Николаевич Международная конференция МИКРОЭЛЕКТРОНИКА 2015 «Интегральные схемы и микроэлектронные модули – проектирование, производство.
Тема 9. Экономические взаимоотношения в процессе подтверждения соответствия. Кафедра ТВЭ Преподаватель: Стукун Валентина Павловна.
Лекция 3 Силовые транзисторы Основные классы силовых транзисторов Транзистор – это полупроводниковый прибор, содержащий два или более p-n переходов и работающий.
Интерфейсы сетей передачи данных Хабаровск Содержание 1.ВведениеВведение 2.Интерфейс RS-232 / V.28.Интерфейс RS-232 / V Интерфейс V.35Интерфейс.
ИНТЕГРАЛЬНЫЕ ДАТЧИКИ. ДАТЧИКИ ТЕМПЕРАТУРЫ 1. Интегральные датчики температуры на БТ 2 Большинство полупроводниковых датчиков температуры используют соотношение.
Датчик уровня топлива «Эпсилон». Особенности датчика «Эпсилон» Более высокая точность измерения уровня топлива за счет более высокого разрешения датчика.
Тема 10. Схемы сертификации Сертификация проводится по установленным в системе сертификации схемам. Схема сертификации это состав и последовательность.
Транксрипт:

Справочные материалы «Микросхемы интегральные иностранного производства, ранее допущенные к ограниченному (частному) использованию в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения с соблюдением порядка и условий их применения» Заместитель генерального директора по научной работе ЗАО «Спарта», к.ф.-м.н. Р.Г. Левин

Управление развития электронной компонентной базы Организации, участвующие в создании Справочных материалов ФГУ «22 ЦНИИИ Минобороны России» ОАО «РНИИ «Электронстандарт» Консалтинговая организация ЗАО «СПАРТА»

ИС в Справочных материалах ИС ИП были допущены к ограниченному (частному) использованию в конкретной РЭА с соблюдением порядка и условий их применения; По данным производителей, производство ИС не прекращено и его прекращение не планируется; Производители допущены к производству ИС военного назначения(QML-аттестация); В Справочных материалах принята классификация МОП xxxx

QML система качества QML – Qualified Manufacturing List – Система контроля качества МО США Система является контролируемой, а не заявительной Большая часть ИС военного назначения производится «QML- производителями» Продукция военного назначения соответствует SMD Квалификация тех. процесса производства ИС соответствует требованиям военного применения Функционирование «программы текущей надежности» Базовая квалификация продукции не зависит от контракта на поставку

SMD SMD - Standardized Microcircuit Drawing Базовый документ на поставку ИС военного назначения, содержащий требования к маркировке, функциональным и электрическим характеристикам, типам корпусов, программе и методикам квалификации и т.д. ИС военного назначения и коммерческого уровня качества производятся на одной технологической линии; Жизненный цикл изделий, выпускаемых по SMD, зачастую составляет 10 лет и более; Таким образом: Ожидаемый уровень качества и надежности изделий коммерческого уровня качества выше, чем у других производителей; Продолжительность жизненного цикла изделий коммерческого уровня качества имеющие в серии аналоги, изготавливаемые по SMD, больше, чем в иных случаях.

В Справочный материал включены: около 1700 типов ИС, 19 производителей 4 производителя – 78% микросхем

Классы исполнения Класс исполнения Диапазон рабочих температур Базовая квалификация изделий в соответствии со стандартом: В С С MIL-PRF-38534(5) – изделия с маркировкой 5962-…. (например, YX) MIL-STD-883 – изделия, маркируемые суффиксом /883 (например, AT28C256-15LM/883) JESD47 – остальные изделия П С СJESD47 У С СJESD47 К 0 0 С СJESD47

Область применения ИС Класс аппаратуры ГруппаВнешнее воздействиеЗначение , 1.5.5Пиковое ударное ускорениеМенее 3000g 1.4.2, 1.5.6, 1.6.6, Верхнее значение диапазона рабочих температур Менее С , 2.3.4Верхнее значение диапазона рабочих температур Менее С 2.1.4, 2.4.3Верхнее значение диапазона рабочих температур Менее С 3Нижнее значение диапазона рабочих температур Более С 55.3 и 5.4

Способ представления Справочных материалов п.п.75 Обозначение типа ЭРИ ИПDS16F95W/883 Фирма-производительNational Semiconductor Функциональное назначение Схема интерфейса (дифференциальный приемопередатчик стандарта EIA-422A EIA-485A) Основные параметрыНапряжение питания 5 В, tзад пр/пер = 19/15 нс, Кол-во пр/пер 1/1, Скорость передачи до 2,5 Мбит/с Тип корпусаCERPACK Количество выводов10 СерияDS16F95 Класс исполненияВ SMD

Переиздание Справочных материалов Предполагаемый период обновления Справочного материала – 6 месяцев. В последующих выпусках Справочного материала планируется дополнительно размещать информацию: - о результатах мониторинга состояния с производством ИС ИП, включенных в предыдущие издания. - ссылочные данные о разработанных в Российской Федерации и государствах-участниках СНГ аналогах ИС ИП. - ссылочные данные о результатах проведения сертификационных испытаний отдельных партий ИС ИП.

Первый лист Справочного материала 1. Микросхемы цифровые 1.1. Микросхемы логические, включая логические элементы, триггеры и схемы цифровых устройств п. п. Обозначен ие типа ЭРИ ИП Фирма- производит ель Функционально е назначение Основные параметрыТип корпуса Количес тво выводов Серия Класс исполне ния SMD 1ACT8503-SAeroflex Аналоговый мультиплексор 3 по 16 в 1 Питание ±15 В, Ток потребления 3 мА, кол-во коммутируемых каналов - 48х3 1.32"Sq x.20"Ht quad flat pack 96 ACT8 503 В ACT8508-SAeroflex Аналоговый мультиплексор 2 по 16 в 1 c развязанным управлением по адресам Питание +5В, ±12 В, Ток потребления +1,2 мА, кол-во коммутируемых каналов - 32х2 1.32"Sq x 0.20"Ht quad flat pack 96 ACT8 508 В AD2S99AP Analog Devices Генератор синусоидального напряния Программируемый генератор опрорного синусоидального напряжения 5В; 2 кГц PLCC20 AD2S 99 П 4AD633AN Analog Devices Перемножитель аналоговых сигналов Полоса пропускания для малых сигналов-1МГц; Напряжение питания от ±8 до ±18; Ток потребления, не более – 6 мА; PDIP8AD633П 5AD734AQ Analog Devices умножитель/делител ь напряжения 4-х квадрантный 10МГц, 4 умножителя/делителя, напряжение питания +2,7В…5В, задержка 25мкс на канал, мощность потребления 80мВт CerDIP14AD734П 6AD734BQ Analog Devices Умножитель/ делитель аналоговый Uвх = ±12,5 В; Uсм = 15 мВ; КОСС = 85 дБ; Скор.нараст.= 450 В/мкс; Fгр = 10 МГц; Стат. ошибка 0,1%; Uвых = ±12 В; Uпит = ±8 В …±16,5 В; Iпит= 12 мА CerDIP14AD734П