Основано в 1946 году Имеет огромный опыт в разработке и производстве ИК-техники Занимает лидирующее положение на российском рынке по разработке и производству. - презентация

1

2 Основано в 1946 году Имеет огромный опыт в разработке и производстве ИК-техники Занимает лидирующее положение на российском рынке по разработке и производству микрофотоэлектроники ФГУП «НПО «Орион»

3 Задача Ориона Разработка и производство передовых микрофотоэлектронных приборов, удовлетворяющих специфическим нуждам различных областей науки и производства

4 Наши Заказчики Наши клиенты представляют оборонные и охранные предприятия, НИИ, медицинские учреждения и другие организации российского рынка высоких технологий Мы разрабатываем приборы удовлетворяющие особым требованиям индивидуальных потребителей Мы адаптируем стандартные приборы под специфические требования заказчиков Среди наших клиентов: Красногорский завод имени С.А. Зверева Ломо, Санкт-Петербург Уомз, Екатеринбург

5 Руководящее звено Ориона Филачёв Анатолий Михайлович генеральный директор ФГУП «НПО «Орион» Корнеева Марина Дамировна первый заместитель генерального директора – директор по экономике и финансам Пономаренко Владимир Павлович первый заместитель генерального директора по научной и производственной работе

6 Орион Сегодня Высококвалифицированные кадры учёных и инженеров 60-летний опыт производства высоких технологий Растущее число производственных заказов Полное переоснащение и восстановление производственных возможностей Широкий фронт работ по переорганизации и реконструкции производственных площадей

7 Высокопрофессиональные исследовательские группы Более чем полувековой опыт высокотехнологичес-кого производства Растущее число выпускаемой продукции Полное переоснащение и восстановление производственных возможностей Управление качеством

8 Для регистрации импульсного лазерного излучения и волоконно-оптических линий связи Неохлаждаемые Фотоприёмники и фотоприёмные устройства Число элементов (каналов) от 1 до 128 Высоко скоростные, лавинные фотодиоды, pin-фотодиоды Фотодиоды и Фотоприёмные устройства на основе Si, Ge, InGaAs для спектрального диапазона 0,4…1,55 мкм

9 Фотоприёмники и фотоприёмные устройства Количество элементов (каналов) от 1 до 256 Не охлаждаемые и с термоэлектрическим охлаждением С различными вариантами корпусов и бескорпусные Фотоприёмники и фотоприёмные устройства на основе фоточувствительных плёнок PbS, PbSe для спектрального диапазона мкм

10 Ф отоприёмники и фотоприёмные устройства С предусилителями и интегральными считывающими устройствами Число элементовов от 1 до сотен тысяч Линейные и матричные фотоприёмные устройства С охлаждением Стирлинга С различными вариантами корпусов и бескорпусные Фотодиоды и фотоприёмные устройства на основе InSb для спектрального диапазона 3…5 мкм

11 Фотоприёмники и фотоприёмные устройства С охладителями Стирлинга и термоэлектрическим охлаждением С предусилителями и интегральными считывающими микросхемами Число элементов от 1 до сотен тысяч Линейные и матричные фотоприёмные устройства Фотоприёмники и Фотоприёмные устройства и фотодиоды на основе фоточувствительных плёнок из CdHgTe для спектрального диапазона 3…5 и 8…12 мкм

12 Лавинные германиевые фотодиоды для волоконно-оптических линий связи Основные характеристики Рабочие длины волны, мкм 1,3 и 1,55 Рабочее напряжение, В 35 – 45 Чувствительность (при А×Гц -1/2 ), А×Вт -1 6 Ёмкость, пФ 2 Время нарастания, нс 2

13 InGaAs фотодиоды для волоконно- оптических линий связи Основные характеристики Рабочие длины волн, мкм 1,3 и 1,55 Рабочее напряжение, В 10 Диаметр фоточувствительной площадки, мкм 200 Темновой ток, нА 10 Токовая чувствительность, А×Вт -1 на λ=1,3 мкм, А/Вт 0,6 на λ=1,55 мкм,А/Вт 0,8 Ёмкость, пФ 2 Время нарастания, нс 2 Рабочее напряжение, В 10 Диапазон рабочих температур, о С от -40 до +85

14 Лавинные кремниевые фотодиоды Основные характеристики Рабочая длина волны, мкм 0,8 – 0,9 Чувствительность (при 1· А×Гц -1/2 ), А×Вт Рабочее напряжение, В Ёмкость, пФ 3 Время нарастания, нс 3 Диапазон рабочих температур, о С от -40 до +85 Диаметр сечения оптического волокна, мкм 300

15 Фотоприёмное устройство на основе кремниевого pin-фотодиода Основные характеристики Спектральный диапазон, мкм 0,8 – 0,95 Диаметр фоточувствительной площадки, мм 5 Пороговая импульсная чувствительность (при ד вх =100 нс), Вт (1,95 – 3,25)·10 -6 Напряжение питания, В 6,5 – 10,5 Ток потребления при (Р ф =4 мВт) 7 Амплитуда импульсов на выходе, В 5 Диапазон рабочих температур, о С от -20 до +50

16 8 канальное фотоприёмное устройство на основе кремниевого pin-фотодиода Основные характеристики Рабочая длина волны, мкм 1,06 Порог чувствительности (Uс/Uш=1),Вт наружные площадки 1, внутренние площадки 0, Вольтовая монохроматическая импульсная чувствительность, В/Вт Разброс чувствительности между площадками, % 15 Динамический диапазон выходных сигналов от уровня шума, дБ наружные площадки 57 внутренние площадки 70 внутренние площадки в режиме «Ослаблено» 100 Напряжение питания ФПУ, В фотодиодов 200±10 усилителей ±12

17 Пороговый германиевый фотодиод Основные характеристики Количество чувствительных элементов 1 Диаметр эффективной площадки, мм 1,1 Плоский угол зрения 40° Спектральный диапазон, мкм 0,8 – 1,6 Токовая чувствительность на λ=1,06 нм, А/Вт 0,5 на λ=1,55 нм, А/Вт 0,55 Обнаружительная способность при λ max, Вт -1 смГц 1/ Время нарастания/спада переходной характеристики, нс 40 Динамический диапазон Темновой ток, мкА 10 Ёмкость, пФ 100 Масса, г 2 Рабочее напряжение, В 10

18 Фотоприёмное устройство на основе Si фотодиода Основные характеристики Количество чувствительных элементов 1 Спектральный диапазон, мкм 0,4 – 1,1 Диаметр фоточувствительной площадки, мм 0,45 – 0,55 Параметры выходного сигнала амплитуда, В 2,5 – 4,5 длительность, нс полярность положительная время нарастания, нс 15 Напряжение питания фотодиода, В 100±10 Ток потребления по цепи усилителя, мА 45 Диапазон рабочих температур, о С от -40 до +60 Габаритные размеры, мм Ø30×6,5

19 Фоторезисторы на основе PbS и PbSe МатериалPbSPbSe Число фоточувствительных элементов 256 Спектральный диапазон, мкм0,5–3,03,0–5,0 Обнаружительная способность при λ макс, Вт -1 смГц 1/ Вольтовая чувствительность, В/Вт Диапазон входящего сигнала, Дб 60 Число работоспособных элементов, % 95 Постоянная времени, мкс30,03 Основные характеристики

20 Матричное фотоприёмное устройство на основе CdHgTe Основные характеристики Формат приёмника4×2886×480* Обнаружительная способность, Вт -1 смГц 1/ , Спектральный диапазон, мкм 7,5-11 Вольтовая чувствительность, В/Вт Динамический диапазон выходных сигналов, Дб 60 Максимальная частота выходного сигнала, Мгц 44 Рабочая температура, K 77 *-на стадии разработки

21 Одноэлементные неохлаждаемые фоторезисторы на основе PbSe Модель в корпусе219P219-01P219-02P219-03P Модель бескорпусная221U221-01U221-02U221-03U Размер фоточувствительной площадки, мм×мм 3×32×21×10,5×0,5 Спектральный диапазон, мкм 2-5 Обнаружительная способность при λ макс, Вт -1 смГц -1/ Вольтовая чувствительность, В/Вт Темновое сопротивление, МОм 0,2-1,0 Постоянная времени, мкс 30 Основные характеристики

22 Фотоприёмное устройство на основе CdHgTe детекторах Число элементов Формат матрицы128× ×288 Размер чувствительного элемента, мкм×мкм 35 ×35 Шаг матрицы, мкм35 Спектральный диапазон, мкм 8-10,5 Обнаружительная способность при λ макс,Вт -1 смГц 1/ λ макс, мкм9-10 Число работающих элементов, %95 Максимальная тактовая частота, Мгц66 Рабочая температура, К77 Основные характеристики

23 Фотоприёмное устройство на основе PbSe с термоэлектрическим охлаждением Число элементов64 Формат матрицы2×32 Размер фоточувствительного элемента, мкм×мкм 100×100 Спектральный диапазон, мкм1,5-5,0 Обнаружительная способность при λ пик, Вт -1 смГц 1/ Вольтовая чувствительность, В/Вт Постоянная времени, мкс25 Напряжение питания ФПУ, В6 Коэффициент усиления предусилителей200 Полоса пропускания предусилителей, Гц Напряжение питания термоэлектрического охладителя, В 3 Ток потребления охладителя, А0,9 Масса, г180 Основные характеристики

24 Электронно-лучевая установка Применение электронно-лучевая установка предназначена для промышленной сварки и термической обработки. Использлуется на источниках высокого напряжения, микропроцессорах и безмаслянных вакуумных установках. Основные характеристики Ускоряющее напряжение, кВ50 Ток пучка, мА20 Длительность импульса, с Частота повторения импульса, Гц3-100 Угол отклонения пучка±5°±5° Объём вакуумной камеры, м 3 0,12 Рабочее давление, Па1, Время откачки вакуумной камеры, мин15 Рабочая частота, Гц50, 60 Занимаемая площадь, м 2 5 Масса, кг1200

25 Ионно-лучевая установка Применение Ионное травление полупроводников Нанесение тонкоплёночных покрытий через маску Полирование поверхностей оптических изделий Очистка поверхностей в микроэлектронном производстве Основные характеристики Объём камеры, мм×ммØ600×500 Давление в камере перед травлением, Па6, Диаметр подложки, мм250 Диаметр пучка, мм102, 200, 300 Ускоряющее напряжение, кВ1-4 Максимальный ток пучка, мА500 Рабочий газAr, O 2 и др. Количество каналов для рабочих газов2 Потребляемая мощность, кВт10 Занимаемая площадь, м 2 6

26 Электронно-лучевая пушка Применение Точная сварка (потребляемая мощность до 30 кВт) Точная микросварка (потребляемая мощность до 1 кВт) Основные характеристики Потребляемая мощность, кВт17,51530 Ток пучка, мА Ускоряющее напряжение, кВ60 90 Накаливание катода Пря- мое Непря- мое Число источников энергии1124

27 Ионные источники Применение Очистка поверхности в процессе напыления Ионная полировка оптических изделий «Сухое» травление полупроводников на глубину до 10 мкм Нанесение тонкоплёночных покрытий на изделия диаметром до 250 мм Основные характеристики Ускоряющее напряжение, кВ0,5-4,0 Плотность тока пучка, мА/см 2 0,2-1,2 Диаметр пучка, мм102, 200, 300 Рабочее давление, Па0,05-1 Рабочий газAr, O 2, N 2 и др.

28 Для связи ФГУП "НПО "ОРИОН" , Россия, Москва, Энтузиастов ш., дом 46/2 Телефон: +007 (095) , Факс: +007 (095) , Контактные лица: Левенец Н.П. – начальник управления по маркетингу Телефон: +007 (095)