Термоэлектрические свойства взаимодействующих двумерных электронов в диффузионном режиме. В.Т. Долгополов 1) и А. Гольд 2) 1) Институт физики твердого. - презентация

1 Термоэлектрические свойства взаимодействующих двумерных электронов в диффузионном режиме. В.Т. Долгополов 1) и А. Гольд 2) 1) Институт физики твердого тела РАН, Черноголовка, Россия 2) Centre d'Elaboration de Materiaux et d'Etudes Structurales (CEMES/CNRS),Toulouse, France

2 Термоэлектрические коэффициенты.

3 m l =0.916 m e, m t =0.19 m e depletion layer Si (100) MOSFET

4 Si-MOSFET Si-MOSFET E C >> E F E C >> E F m= 0.19m 0 m= 0.19m 0 two valleys two valleys C /E F C /E F

5 К каким наблюдаемым эффектам приводит сильное взаимодействие?

6 Предполагаем справедливость приближения При слабом взаимодействии (область больших электронных концентраций) из ответа для термо ЭДС также полностью выпадают все параметры, характеризующие рассеяние. Если время релаксации 0 не зависит от энергии, то термо ЭДС равна

7 (q,0) = 1+ q s /q{1- [1-(2 k F /q) 2 ] 1/2 }. q>2k F (q,0) = 1+ q s /q q

8 В результате, частота рассеяния разлагается в ряд по малой поправке

9

10

11 ВЫВОДЫ «Классические» выражения для термоэлектрических коэффициентов не могут быть экстраполированы в область сильного взаимодействия. При сильном межэлектронном взаиможействии термоЭДС cильно подавлена и обладает зависимостью от r s.