РОЛЬ ВЫСШИХ ПОРЯДКОВ ОТРАЖЕНИЯ РЕНТГЕНОВСКИХ ЛИНИЙ ПРИ РЕГИСТРАЦИИ НА ЭЛЕКТРОННО-ЗОНДОВЫХ МИКРОАНАЛИЗАТОРАХ Лаврентьев Ю.Г., Королюк В.Н., Нигматулина.

Презентация:



Advertisements
Похожие презентации
СОПОСТАВЛЕНИЕ МЕТОДОВ УЧЕТА ФОНА ПРИ ЭЛЕКТРОННО-ЗОНДОВОМ МИКРОАНАЛИЗЕ МОНАЦИТА ДЛЯ ЦЕЛЕЙ ДАТИРОВАНИЯ Карманов Н.С., Нигматулина Е.Н., Королюк В.Н., Лаврентьев.
Advertisements

НИИ Материаловедения Использование рентгеновского двукристального спектрометра в микроэлектронике Голубков С.А., Егоров Н.Н., Малюков Б.А., Михаэлян В.М.,
Электронное строение атома Презентацию составила: Учитель химии МКОУ СОШ 3 с Кугульта Колодиева Оксана Александровна.
Оже микроскопия Оже микроскопия Рентгеновский квант Энергия выбитых из из атома электронов.
ПРИМЕРЫ РЕШЕНИЯ ЗАДАЧ ПО КУРСУ ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ МЕТОДОВ ИССЛЕДОВАНИЯ РЕАЛЬНОЙ СТРУКТУРЫ КРИСТАЛЛОВ 2 Д В.
Начертите систему координат для SCREEN 7. Отметьте точки: 1 (10,130)2 (80,130)3 (80,50) 4 (80,30)5 (100,30)6 (90,40) 7 (100,50)8 (140,130)9 (170,130) 10.
Презентация урока для интерактивной доски по математике (2 класс) по теме: Свойства сложения 2 класс
Иванов.И.А. 1 Имитационная модель мультипрограммной системы Создать модель для исследования характеристики обработки процессов Выработать рекомендации.
Методы исследования материалов функциональные свойства химические свойства и строение микроструктура фазовый состав кристаллическая структура элементный.
Лекция 25Слайд 1 Темы лекции 1.Физические основы рентгеновского микроанализа. 2.Количественный рентгеновский микроанализ с использованием метода трех поправок.
Тема: Химические формулы. Относительная атомная и относительная молекулярная массы. I. Химическая формула – это условная запись состава вещества, посредствам.
ВЗАИМНОЕ РАСПОЛОЖЕНИЕ ГРАФИКОВ ЛИНЕЙНЫХ ФУНКЦИЙ. Графики двух линейных функций представляют собой прямые, которые либо пересекаются, либо параллельны.
T= mm Керамические датчики давления CPS 1000/ сопротивление – 10 кОм; - разброс по сопротивлению ±30% - выходной сигнал мВ/В - питание.
Ночь: + 15 C о ПОНЕДЕЛЬНИК День: + 35 C о.
Химическая связь Кислота ХИМИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ. Самостоятельная работа Вариант I. 1. Какой химический элемент зашифрован данной электронной формулой? 1S 2.
Основные этапы разработки и исследования моделей на компьютере.
Спектроскопия комбинационного рассеяния Идея метода, реализации.
ЭЛЕКТРОННО-ЗОНДОВЫЙ РЕНТГЕНОСПЕКТРАЛЬНЫЙ АНАЛИЗ В УСЛОВИЯХ НИЗКОГО ВАКУУМА. Вирюс А.А. – ИЭМ РАН Куприянова Т.А., Филиппов М.Н. – ИОНХ РАН.
Пример1 Мир
у 0х Ось абсцисс ОсьординатОсьординат I II III IV.
Транксрипт:

РОЛЬ ВЫСШИХ ПОРЯДКОВ ОТРАЖЕНИЯ РЕНТГЕНОВСКИХ ЛИНИЙ ПРИ РЕГИСТРАЦИИ НА ЭЛЕКТРОННО-ЗОНДОВЫХ МИКРОАНАЛИЗАТОРАХ Лаврентьев Ю.Г., Королюк В.Н., Нигматулина Е.Н., Карманов Н.С.

Примеры наложения линий Аналитическая линия, кристалл-анализатор Налагающаяся линия и порядок отражения Na K TAPBa 7 V Al K TAPBa L 1,2 III Si K TAPCo K 1,2 IV P K PETCa K 1,3 II

Относительная интенсивность линий в разных порядках отражения Кристалл- анализатор Индексы рабочих плоскостей 2d, Å Порядок отражения, % IIIIIIIVVVIVIIVIII LiF ––––– PET ––– TAP LDE ––––– LDE ––––––

Выводы Интенсивность рефлексов разных порядков отражения зависит от конструкции и текущего технического состояния спектрометра. Индивидуальные свойства кристалл- анализаторов влияют на соотношение интенсивностей в разных порядках отражения.