УП «ЗАВОД ТРАНЗИСТОР» Новые разработки изделий спецназначения

Система менеджмента качества УП «Завод Транзистор» Система менеджмента качества при производстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем соответствуют требованиям МС ИСО , ГОСТ В , ГОСТ В , ОСТ В , ОСТ В , ОСТ В , ОСТ В

п/п Обозначение прибора (корпусное исполнение) Функциональное назначение (параметры) Обозначение ТУТип корпуса П771А-5 (б/к) 2П771А-6 2П771А (корпус КТ-28-2) 2П771А91(корпус КТ-90) n-канальный транзистор (100 В; 0,045 Ом) АЕЯР ТУ, РД АЕЯР ТУ КТ-28-2 КТ ДШ2121А-5/ИМ (б/к) 2ДШ2121АС/ИМ (корпус КТ-9) Диод Шоттки 1 х 5А ; 100 В Диоднная сборка 2 х 5А ; 100 В АЕЯР ТУ, РД АЕЯР ТУ КТ П7145А-5/ИМ (б/к) 2П7145А/ИМ, 2П7145Б/ИМ (корпус КТ-9) 2П7145А1/ИМ, 2П7145Б1/ИМ (корпус КТ-97С) n-канальный транзистор (200 В; 0,085 Ом) n-канальные транзисторы (200 В, 0,085 и 0,1Ом) n-канальные транзисторы (200 В; 0,085 и 0,1Ом) АЕЯР ТУ, РД АЕЯР ТУ КТ-9 КТ-97С 10 2Т8224А-5 (б/к)Биполярный n-p-n транзистор (Uкб = 1500 В, Iк mах = 10 А) АЕЯР ТУ Таблица 1. ИЗДЕЛИЯ С ПРИЕМКОЙ ЗАКАЗЧИКА, РАЗРАБОТАННЫЕ В 2003 – 2009 г.г.

Продолжение Таблицы 1. п/пОбозначение прибора (корпусное исполнение) Функциональное назначениеОбозначение ТУТип корпуса 11 2Т847А-5/ИМ (б/к)Биполярный n-p-n транзистор (U КЭR = 650 В, Iк mах = 15 А) АЕЯР ТУб/к 12 2Т839А/ИМ (корпус КТ-9) Биполярный n-p-n транзистор (U КЭR = 1500 В, Iк mах = 10 А) АЕЯР ТУКТ-9 132Т845А (корпус КТ-9) Биполярный n-p-n транзистор (U КЭR = 400 В, Iк mах = 5 А) АЕЯР ТУКТ Е802А-5(б\к) Биполярный транзистор с изолированным затвором для ( 600В, 23А ) АЕЯР ТУ 152П7172А n-канальный транзистор (100 В; 0,05 Ом) АЕЯР ТУКТ-97В 162П7209А р-канальный транзистор (100 В; 0,2 Ом) АЕЯР ТУКТ-97В

п/п Обозначение прибора (корпусное исполнение) Функциональное назначение Обозначение ТУ Тип корпуса Серия микросхем 1264ХХН4ИМ (б/к) Серия микросхем 1264ХХПИМ (корпус КТ-9) Стабилизатор напряжения регулируемый положительной полярности на токи наг- рузки до 7А -1264ЕР1Н4ИМ-1.25 В 3 % Стабилизаторы напряжения с фиксиро- ванным выходным напряжением положительной полярности на токи нагрузки до 7А : 1264ЕН1А В 3 % 1264ЕН2А В 3 %, 1264ЕН2Б В 3 % 1264ЕН3А В 3 % 1264ЕН В 3 % 1264ЕН В 3 % 1264ЕН В 3 % АЕЯР ТУ, РД АЕЯР ТУ б/к КТ Микросхемы 142ЕР1Н4ИМ (б/к) 142ЕР1УИМ (корпус Н02-8В) Регулируемый стабилизатор напряжения положительной полярности парал- лельного типа: опорное напряжение (2.470 – 2.520) В, диапазон регулировки до 30 В АЕЯР ТУ, АЕЯР ТУ, РД АЕЯР ТУ, АЕЯР ТУ Н02.8-2В Продолжение Таблицы 1.

п/п Обозначение прибора (корпусное исполнение) Функциональное назначениеОбозначение ТУТип корпуса Микросхемы 142ЕР2Н4ИМ (б/к) 142ЕР2УИМ (корпус Н02-8В) Регулируемый стабилизатор напряжения положительной полярности параллельного типа: опорное напряжение (1,228 – 1,252) В, диапазон регулировки до 12 В АЕЯР ТУ, АЕЯР ТУ, РД АЕЯР ТУ, АЕЯР ТУ, Н02.8-2В 23 Серия микросхем 1244ЕНХХТ Стабилизатор напряжения положи- тельной полярности с фиксирован- ным выходным напряжением: 5 В, 6 В, 8 В, 9 В, 12 В, 15 В, 18 В, 24 В на токи до 1,5А АЕЯР ТУ Серия микросхем 1253ЕИХХТ Стабилизатор напряжения отрицательной полярности с фиксированным выходным напряжением: 5 В, 6 В, 8 В, 12 В, 15 В, 18 В, 24 В на токи до 1,5А АЕЯР ТУ Микросхема 1252ЕР1Т Регулируемый стабилизатор напряжения положительной полярности с на опорное напря- жение 1.25В и ток нагрузки до 1,5А АЕЯР ТУ ИЗДЕЛИЯ С ПРИЕМКОЙ ЗАКАЗЧИКА, РАЗРАБОТАННЫЕ В 2003 – 2009 г.г.

2П7172А, АЕЯР ТУ Мощный n-канальный МОП - транзистор 1 – затвор 2 – сток 3 – исток Кремниевый эпитаксиально-планарный полевой транзистор с изолированным затвором, обогащением n-канала, встроенным обратносмещенным диодом и с повышенной стойкостью к СВВФ. Корпусное исполнение: металлокерамический корпус ТО-254 Значения характеристик: 7И1 по группе исполнения 3Ус, 7И6 - 4Ус, 7И7 - 4х4Ус, 7С х1Ус, 7С4 - 2х1Ус, 7К1 - 5х1К, 7К4 - 0,5х1К ГОСТ РВ Уровень бессбойной работы при воздействии специальных факторов 7И с характеристикой 7И8 (по критерию Iс ост = 5 мА), составляет (0,9 х 10 –4) х 2Ус (по критерию Iс ост = 500 мА) составляет 0,02 х 1Ус. Предельно-допустимые режимы эксплуатации Наименование параметра, единица измерения Обозначение Предельное значение Постоянный ток стока (Т К = 25ºС), А I C MAX 30 Импульсный ток стока, А I C И MAX 120 Напряжение сток-исток, В U CИ MAX 100 Напряжение затвор-исток, В U ЗИ MAX ±20 Постоянная рассеиваемая мощность (Т К = 25ºС), Вт P MAX 125 Температура перехода, ºС T ПЕР MAX 175

Наименование параметра, единица измерения Обозначение Предельное значение Постоянный ток стока (Т К = 25ºС), АI C MAX -19 Постоянный ток стока (Т К = 100ºС), А I C MAX -13 Напряжение сток-исток, ВU CИ MAX -100 Температура перехода, ºСT ПЕР MAX 175 2П7209А, АЕЯР ТУ Мощный p-канальный МОП-транзистор Предельно-допустимые режимы эксплуатации Значения характеристик: 7И1 по группе исполнения 2Ус, 7И6 - 2Ус, 7И7 - 2Ус, 7С1 - 2Ус, 7С4 - 2Ус, 7К1 – 1.К, 7К4 - 0,1х1.К ГОСТ РВ Кремниевый эпитаксиально-планарный полевой переключательный транзистор с изолированным затвором, обогащением p-канала, встроенным обратносмещенным диодом Корпусное исполнение: металлокерамический корпус ТО-254

Наименование параметра, единица измерения Буквенное обозначение Предельно-допустимый режим Предельный режим не менеене болеене менеене более Напряжение питания, В 1114ЕУ7УИМ, 1114ЕУ9ИМ 1114ЕУ8УИМ, 1114ЕУ10ИМ Uпит 11,2 8,4 2511,0 8,2 30 Рассеиваемая мощность, Вт при Токр от минус 60 до С, при Токр = С Ррас ,5 0,16- 0,6 0,18 Частота внутреннего генератора, кГцFген Втекающий и вытекающий выходной ток, мАIвых Ток нагрузки источника опорного напряжения, мА Iоп Амплитуда импульсного втекающего и вытекающего выходного тока, А Iвых, и-0,5-0,7 Предельно допустимые и предельные режимы эксплуатации микросхем АЕЯР ТУ, АЕЯР ТУ Микросхемы ШИМ - контроллеров импульсных источников питания с обратной связью по току (зарубежный аналог UC1842, UC 1843, UC 1844, UC 1845) 1114ЕУ7УИМ, 1114ЕУ7Н4ИМ 1114ЕУ8УИМ, 1114ЕУ8Н4ИМ 1114ЕУ9УИМ, 1114ЕУ9Н4ИМ 1114ЕУ10УИМ, 1114ЕУ9Н4ИМ Корпусное исполнение Н02.8 – 2В, возможность поставки бескорпусного варианта

п/п Обозначение прибора (корпусное исполнение) Функциональное назначениеОбозначение ТУТип корпуса 1 Серия 1264 в металлокерамич еском корпусе- аналоге ТО-254 Стабилизаторы напряжения положи- тельной полярности на токи нагрузки до 7А: регулируемый на 1.25 В и с фиксированным выходным напряже- нием 1,25 В; 2,5 В; 2,85В; 3,3 В ; 5 В; 9 В; 12 В АЕЯР ТУ КТ-97В 2 142ЕР1ТИМ в корпусе Регулируемый стабилизатор напряжения положительной полярности параллельного типа: опорное напряжение 2,495В и диапазон регулировки до 30 В АЕЯР ТУ, АЕЯР ТУ Таблица 2. ИЗДЕЛИЯ С ПРИЕМКОЙ ЗАКАЗЧИКА, ОСВАИВАЕМЫЕ В 2010 г.

ИЗДЕЛИЯ В РАЗРАБОТКЕ 2010г. 2П524А9, 2П524А-5, АЕЯР ТУ n-канальный МОП полевой транзистор Кремниевый эпитаксиально-планарный полевой переключательный транзистор с изолированным затвором, логическим уровнем управления, обогащением n- канала и встроенным обратносмещенным диодом Корпусное исполнение КТ-99-1, возможность поставок бескорпусного варианта Наименование параметра, единица измерения (режим и условия измерений) Буквенное обозначение параметра Предельно-допустимая норма при эксплуатации Максимально допустимый постоянный ток стока, А при Тср = 25 °С Iс.max1,4 Максимально допустимый постоянный ток стока, А при Тср = 100 °С Iс.max0,4 Максимально допустимый импульсный ток стока, АIс(и) max2,8 Максимально допустимый постоянный прямой ток диода, АIпр.max1,4 Максимально допустимый импульсный прямой ток диода, АIпр.(и) max2,8 Максимально допустимое напряжение сток-исток, ВUси.max50 Максимально допустимое напряжение затвор-исток, ВUзи.max 10 Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность, Вт при Тср = 25 °С Pmax1,0 Максимально допустимая температура перехода, °СТп.max150 Тепловое сопротивление переход-среда, °С/ВтRт пc125 Значения характеристик: 7И1 по группе исполнения 3Ус, 7И6 - 4Ус, 7И7 – 4x4Ус, 7И8 - 2 х 10Е-5 х 1Ус, 7С1 - 5x4Ус, 7С4 - 1Ус, 7К1 – 5x1К, 7К4 - 0,5х1К ГОСТ РВ

ИЗДЕЛИЯ В РАЗРАБОТКЕ 2010г. 2ТД543А, АЕЯР ТУ, Cоставной биполярный n-p-n транзистор Кремниевый эпитаксиально-планарный биполярный составной транзистор К Э Б Наименование параметра, единица измерения (режим и условия измерения) Буквенное обозначение параметра Предельно-допустимая норма при эксплуатации Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер, В (U ЭБ = 0) U КЭК max 80 Максимально допустимое постоянное напряжение база- эмиттер, В U ЭБ max 5 Максимально допустимый постоянный ток коллектора, АI К max 1,0 Максимально допустимый импульсный ток коллектора, А (tИМП =6,3 мс, Q 2) I К имп max 2,0 Максимально допустимый постоянный ток базы, мА I Б max 100 Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность, Вт Тср = (-60)°С – (+25) Р К max 0,8 Тепловое сопротивление переход-среда, °С/ВтR ПЕР СР 156 Максимально допустимая температура перехода, °C Т ПЕР max 150

ИЗДЕЛИЯ В РАЗРАБОТКЕ 2010г. СВЧ диод Шоттки и набор СВЧ диодов Шоттки в малогабаритном пластмассовом корпусе для поверхностного монтажа КТ-46А Функциональное назначение диодов использование в импульсных устройствах, преобразователях высокочастотного напряжения, детекторах и других узлах и блоках аппаратуры специального назначения Один диод в корпусе Набор диодов (два последовательно соединённых диода) Значения электрических параметров диодов при приемке (поставке), эксплуатации (в течение наработки) и хранении (в течение срока сохраняемости) [ Тср = (25 10) С] Измеряемые параметрыН о р м а Режим измерения Наименование, ед. изм. Обознач ение не менее не более Обратный ток диода, мкА I ОБР –0,5U ОБР = 15 В Прямое напряжение диода*, В U ПР – 0,4I ПР = 1,0 мА Прямое напряжение диода*, В U ПР – 1,1I ПР = 50,0 мА Ёмкость диода, пФ СДСД –2,0U ОБР = 0 В, f = 1МГц * Длительность импульса при измерениях (t ИМП ) не более 2 мс, Q > 50

ИЗДЕЛИЯ В РАЗРАБОТКЕ «Диод Шоттки и набора диодов Шоттки в малогабаритном пластмассовом корпусе для поверхностного монтажа» Предельно-допустимые значения электрических параметров и режимов эксплуатации Наименование параметра, единица измерения (режим и условия измерений) Буквенное обозначени е параметра Предельно- допустимая норма при эксплуатации Максимально допустимое постоянное обратное напряжение диода, В U ОБР макс 18 Максимально допустимое импульсное обратное напряжение диода, В U ОБР И макс 18 Максимально допустимый постоянный прямой ток диода, мА I ПР макс 50 Максимально допустимый импульсный прямой ток диода, мА (t ИМП = 6,3 мс, Q >2 ) I ПР И макс 100 Значения характеристик специальных факторов 7.И, 7.С, 7.К во время и непосредственно после воздействия которых диод должен выполнять свои функции Вид специальных факторов Характеристики специальных факторов Значения характеристик специальных факторов 7.И7.И 1 1У с 7.И 6 2У с 7.И 7 5 х 2У с 7.И х 1Ус 7.С7.С 1 1У с 7.С 4 1У с 7.К7.К 1 1К 7.К 4 0,1 х 1К

Таблица 3. СТОЙКОСТЬ К СПЕЦФАКТОРАМ новых изделий п/пНаименование изделияЗначение характеристик 1 2П771А-5, 2П771А-6, 2П771А, 2П771А91 Значение характеристик И1-И3, К1 по группе исполнения 1У, значение характеристик С3 по группе исполнения (0,7х1У), значение характеристик К3 по группе исполнения (0,5х1У) ГОСТ В ДШ2121АС/ИМ, 2ДШ2121А-5/ИМ 7И1, 7С1 – 1Ус; 7И6 – 4 Ус, 7И7 – 0,5х2Ус в режиме постоянного обратного напряжения и 2х4Ус в режиме импульсного обратного напряжения; 7С4 – 1Ус в режиме постоянного обратного напряжения и 10х1Ус в режиме импульсного обратного напряжения по ГОСТ РВ Уровень бессбойной работы 7И8 -2х10 -3 х1Ус 3 2П7145А/ИМ,2П7145Б/И М, 2П7145А-5, 2П7145А/ИМ, 2П7145Б/ИМ, 7И1, 7С1, 7С4 – 1Ус;7И7 – 0,5х2Ус; 7И6 – 4Ус в соответствии с ГОСТ РВ Уровень бессбойной работы 7И8 – 1,1х10 -6 х1Ус 42Т8224А-5 Специальные воздействия И1, С3, по группе исполнения 1У, И2 – по 2У 52Т847А-5/ИМ Специальные воздействия С3, И1-И3,К1, К3, по группе исполнения 1У 62Т839А/ИМ7И1, 7.С4 – по группе исполнения1Ус, 7.С1 – 1Ус, 7.И6 – 4Ус Уровень бессбойной работы 7И с характеристикой 7И6 составляет 2,8х10 -5 х1Ус 72Т845А7И1, 7.С4 – по группе исполнения1Ус, 7.С1 – 1Ус, 7.И6 – 4Ус по ГОСТ РВ Е802А-5 Специальные воздействия И1, И2, И3, С3, К1, К3 по группе исполнения 1У

п/пНаименование изделияЗначение характеристик 9 142ЕР1УИМ,142ЕР1Н4ИМ 142ЕР2УИМ, 142ЕР2Н4ИМ 7И1, 7И6, 7И7, 7И8, 7С1, 7С4 – по группе исполнения 1Ус, 7К1, 7К4 – по группе исполнения 1К Уровень бессбойной работы 7И8 не хуже 0,001х1Ус 10 Серия 1244ЕНХХТ,7И1, 7И6, 7И7, 7С1, 7С4 по группе исполнения 1Ус и с характеристиками 7К1, 7К4 по группе исполнения 1К Уровень бессбойной работы 7И8 не хуже 0,0005х1х1Ус ЕР1Т 7И1, 7И6, 7С1 по группе исполнения 1 Ус, с характеристикой 7И7 по группе сиполнения 5х1Ус, с характеристикой 7С4 по группе исполнения 0,05х1Ус, с характеристикой 7К1 по группе исполнения 0,05х1К, с характеристикой 7К4 по группе исполнения 0,02х1К Уровень бессбойной работы 7И8 не хуже 4х10 -4 х1Ус 12 Серия 1253ЕИХХТ 7И1, 7И6, 7И7, 7С1 по группе исполнения 1Ус, с характеристикой 7С4 по группе исполнения 0,01х1Ус и с характеристиками 7К1, 7К4 по группе исполнения 1К 13 Серия 12647И1 – по группе исполнения 0,3х1Ус, 7И6 – по группе исполнения 2Ус, 7И7, 7С1 – по группе исполнения 1Ус, 7С4 – по группе исполнения 0,03х1Ус, 7К1 по группе исполнения 0,1х1К, 7К4 по группе исполнения 0,4х1К Уровень бессбойной работы 7И8 -1,05х10 5 ед/с при токе нагрузки 6,25А и 5,4х10 5 ед/с при токе нагрузки 0,01А СТОЙКОСТЬ К СПЕЦФАКТОРАМ

Контактные телефоны УП «Завод Транзистор»: Отдел маркетинга и внешних связей( ) Главный конструктор( ) Конструкторско-технологический отдел( ) ( )